| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 插图索引 | 第10-12页 |
| 附表索引 | 第12-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-19页 |
| ·研究背景与意义 | 第13-15页 |
| ·硅纳米线晶体管 | 第15-18页 |
| ·硅纳米的性质与制备 | 第15页 |
| ·硅纳米线晶体管的结构 | 第15-16页 |
| ·一维纳米结构的弹道输运 | 第16-18页 |
| ·研究方法与论文结构 | 第18-19页 |
| ·研究方法 | 第18页 |
| ·论文结构 | 第18-19页 |
| 第2章 纳米级MOSFET的阈值电压 | 第19-37页 |
| ·MOS器件表面状态随栅压的变化 | 第19-23页 |
| ·衬底表面积积累状态 | 第19-20页 |
| ·衬底农面平带状态 | 第20-21页 |
| ·衬底农面耗尽状态 | 第21页 |
| ·衬底表面反型状态 | 第21-23页 |
| ·阈值电压的定义方法 | 第23-24页 |
| ·反型与强反型条件 | 第23-24页 |
| ·阈值电压的影响因索分析 | 第24-28页 |
| ·功函数差的影响 | 第24-26页 |
| ·界面陷阱和氧化物电荷的影响 | 第26-27页 |
| ·影响阈值电压的其它因素 | 第27-28页 |
| ·从测量特性关系中提取阈值电压 | 第28-35页 |
| ·恒电流法 | 第28-29页 |
| ·线性区域外推法 | 第29-30页 |
| ·线性区域的跨导外推法 | 第30页 |
| ·二阶导数法 | 第30-31页 |
| ·比例法 | 第31-32页 |
| ·渐变法 | 第32页 |
| ·积分法 | 第32-33页 |
| ·Corsi函数法 | 第33-34页 |
| ·二阶导数对数法 | 第34页 |
| ·线性差分因子法 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第3章 Savitzky-Golay平滑去噪滤波算法 | 第37-46页 |
| ·半导体器件及电路的噪声理论 | 第37-39页 |
| ·热噪声 | 第37-38页 |
| ·散粒噪声 | 第38页 |
| ·闪烁噪声 | 第38-39页 |
| ·燥米噪声 | 第39页 |
| ·Savitzky-Golay滤波算法 | 第39-41页 |
| ·Savitzky-Golay卷积系数的推导 | 第41-44页 |
| ·Savitzky-Golay滤波器的优缺点 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 硅纳米线晶体管阈值电压的提取 | 第46-64页 |
| ·硅纳米线晶体管I-V特性的实验测量 | 第46-49页 |
| ·测试平台的搭建 | 第46-47页 |
| ·测试样品的器件结构 | 第47-48页 |
| ·I_d-V_g跨导曲线的测量 | 第48-49页 |
| ·线性区外推提取阈值电压 | 第49-57页 |
| ·测量涨落的影响 | 第49-50页 |
| ·线性区外推方法 | 第50-51页 |
| ·对I_d-V_g曲线平滑去噪提取阈值电压 | 第51-53页 |
| ·对曲线平滑去噪提取阈值电压 | 第53-56页 |
| ·两种平滑方法的比较 | 第56-57页 |
| ·二阶导数平滑法提取阈值电压 | 第57-62页 |
| ·二阶导数方法提取阈值电压的原理 | 第57-58页 |
| ·二阶导数滤波算法 | 第58-60页 |
| ·计算结果与讨论 | 第60-62页 |
| ·讨论与总结 | 第62-64页 |
| 第5章 影响阈值电压参量的因素研究 | 第64-74页 |
| ·阈值电压与沟道长度的关系 | 第64-68页 |
| ·特性测量与阈值电压的提取 | 第64-66页 |
| ·分析与讨论 | 第66-68页 |
| ·阈值电压与沟道宽度的关系 | 第68-70页 |
| ·阈值电压与环境温度的关系 | 第70-72页 |
| ·阈值电压与衬源偏压的关系 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 致谢 | 第79页 |