| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 符号说明 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 CdZnTe薄膜探测器 | 第13-17页 |
| 1.2.1 CdZnTe薄膜制备技术研究进展 | 第15-16页 |
| 1.2.2 CdZnTe薄膜探测器研究进展 | 第16-17页 |
| 1.3 薄膜晶体管型探测器 | 第17-20页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管的发展历程 | 第17-18页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管光电探测器 | 第18-19页 |
| 1.3.3 薄膜场效应晶体管的基本参数 | 第19-20页 |
| 1.4 本课题的研究目的、步骤和创新点 | 第20-22页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第20页 |
| 1.4.2 研究步骤 | 第20页 |
| 1.4.3 创新之处 | 第20-22页 |
| 第二章 CdZnTe薄膜晶体管制备方法 | 第22-28页 |
| 2.1 实验原料与设备 | 第22-23页 |
| 2.2 实验步骤 | 第23-24页 |
| 2.3 实验参数设计 | 第24-28页 |
| 第三章 工艺参数对SiO_2衬底上制备CdZnTe薄膜性能的影响 | 第28-42页 |
| 3.1 溅射功率对薄膜性能的影响 | 第28-30页 |
| 3.2 溅射时间对薄膜性能的影响 | 第30-33页 |
| 3.3 溅射气压对薄膜性能的影响 | 第33-37页 |
| 3.4 Ar气流量对薄膜性能的影响 | 第37-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 CdZnTe薄膜晶体管性能研究 | 第42-58页 |
| 4.1 绝缘层厚度对薄膜晶体管性能的影响 | 第42-44页 |
| 4.2 CdZnTe薄膜表面粗糙度对薄膜晶体管性能的影响 | 第44-48页 |
| 4.3 CdZnTe薄膜厚度对薄膜晶体管性能的影响 | 第48-50页 |
| 4.4 CdZnTe薄膜电阻率对薄膜晶体管性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.5 电极对CdZnTe薄膜晶体管性能的影响 | 第52-56页 |
| 4.6 CdZnTe薄膜晶体管的光电效应测试 | 第56-57页 |
| 4.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第66-68页 |
| 作者和导师简介 | 第68-70页 |
| 附件 | 第70-72页 |
