| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| §1.1 气敏技术的研究现状和发展前景 | 第7-8页 |
| ·国外气敏技术现状 | 第7页 |
| ·国内气敏技术现状 | 第7-8页 |
| ·气敏技术的发展趋势 | 第8页 |
| §1.2 氧敏传感器的研究开发进展 | 第8-9页 |
| §1.3 本论文的主要研究内容 | 第9-10页 |
| 第二章 薄膜的形成、结构与缺陷 | 第10-18页 |
| §2.1 薄膜的形成 | 第10-13页 |
| ·凝结过程 | 第10-11页 |
| ·薄膜的形成与生长 | 第11-13页 |
| §2.2 薄膜的结构与缺陷 | 第13-16页 |
| ·薄膜的结构 | 第13-15页 |
| ·薄膜的缺陷 | 第15-16页 |
| §2.3 薄膜材料的特殊性 | 第16-18页 |
| ·表面能级很大 | 第16页 |
| ·薄膜和基片的粘附性 | 第16-17页 |
| ·薄膜中的内应力 | 第17页 |
| ·异常结构和非理想化学计量比特性 | 第17-18页 |
| 第三章 TiO_2氧敏机理研究 | 第18-26页 |
| §3.1 金属氧化物点缺陷理论 | 第18-23页 |
| ·金属氧化物的点缺陷及其K-V符号 | 第18-19页 |
| ·质量作用定律与点缺陷理论 | 第19-23页 |
| §3.2 TiO_2氧气敏感性的探讨 | 第23-24页 |
| §3.3 TiO_2氧敏表面作用机制 | 第24-26页 |
| 第四章 溅射镀膜技术 | 第26-36页 |
| §4.1 真空技术 | 第26-28页 |
| ·真空度 | 第26-27页 |
| ·真空的获得 | 第27-28页 |
| ·真空的测量 | 第28页 |
| §4.2 溅射基本规律 | 第28-31页 |
| ·溅射阈值 | 第28页 |
| ·溅射率 | 第28-30页 |
| ·溅射原子的能量和速度 | 第30页 |
| ·溅射原子的角度分布 | 第30页 |
| ·溅射机理 | 第30-31页 |
| §4.3 磁控溅射 | 第31-33页 |
| §4.4 反应溅射 | 第33-35页 |
| §4.5 磁控溅射技术的特点 | 第35-36页 |
| 第五章 TiO_2薄膜的制备 | 第36-41页 |
| §5.1 薄膜制备 | 第36-39页 |
| ·溅射仪概述 | 第36-37页 |
| ·基片的净化 | 第37-38页 |
| ·基片温度的选择 | 第38页 |
| ·溅射TiO_2薄膜 | 第38-39页 |
| §5.2 TiO_2薄膜处理及XRD分析 | 第39-41页 |
| ·TiO_2薄膜的退火处理 | 第39页 |
| ·TiO_2薄膜的XRD分析 | 第39-41页 |
| 第六章 TiO_2薄膜氧敏特性分析 | 第41-54页 |
| §6.1 测试装置 | 第41-42页 |
| §6.2 氧敏特性测试和分析 | 第42-46页 |
| ·不同工作温度下氧灵敏度S与氧分压的关系 | 第42-43页 |
| ·不同工作温度下的平均灵敏度 | 第43页 |
| ·对激活能的讨论 | 第43-45页 |
| ·对导电机制决定的参数m的讨论 | 第45-46页 |
| §6.3 不同气压下制得TiO_2薄膜的氧敏特性研究 | 第46-51页 |
| ·氧气压相同而p_O_2／p_Ar不同时薄膜氧敏特性分析 | 第46-49页 |
| ·p_O_2／p_Ar相同而氧气压不同时薄膜氧敏特性分析 | 第49-51页 |
| §6.4 退火温度对TiO_2薄膜氧敏特性的影响 | 第51-54页 |
| 第七章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第59页 |
