| 摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| §1.1 SiC的优势 | 第10-11页 |
| §1.2 国内外SiC材料和器件现状 | 第11-15页 |
| §1.3 SiC的晶体结构 | 第15-17页 |
| §1.4 SiC材料的制备 | 第17-19页 |
| §1.4.1 单晶生长 | 第17-18页 |
| §1.4.2 薄膜生长 | 第18-19页 |
| §1.5 论文的主要工作 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 4H-SiC薄膜的CVD同质外延生长机理 | 第23-30页 |
| §2.1 CVD生长原理和生长模式 | 第23-24页 |
| §2.2 SiC CVD生长系统 | 第24-25页 |
| §2.3 4H-SiC同质外延生长参数 | 第25-27页 |
| §2.4 4 H-SiC同质外延生长缺陷 | 第27-28页 |
| §2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 8°偏角衬底上高质量的4H-SiC薄膜同质外延生长 | 第30-40页 |
| §3.1 引言 | 第30页 |
| §3.2 样品制备和表征 | 第30-33页 |
| §3.3 结果分析与讨论 | 第33-38页 |
| §3.3.1 生长温度,C/Si比和生长速率对样品表面形貌的影响 | 第33页 |
| §3.3.2 4H-SiC外延薄膜低温光致发光(LTPL)性质的研究 | 第33-38页 |
| §3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第四章 生长温度及有关缺陷对4H-SiC外延薄膜中载流子寿命的影响 | 第40-54页 |
| §4.1 引言 | 第40-41页 |
| §4.2 实验过程 | 第41-44页 |
| §4.3 结果分析与讨论 | 第44-51页 |
| §4.3.1 生长温度对4H-SiC薄膜中载流子寿命的影响 | 第44-48页 |
| §4.3.2 形貌缺陷对4H-SiC薄膜中载流子寿命的影响 | 第48-51页 |
| §4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和申请专利目录 | 第56-57页 |
