| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-30页 |
| ·微电子技术的发展趋势 | 第9-14页 |
| ·纳米MOSFET的电学特性 | 第14-22页 |
| ·纳米MOSFET的BTI效应 | 第22-25页 |
| ·基于碳纳米管网络的薄膜晶体管(CNN-TFTs) | 第25-28页 |
| ·本论文的主要内容和安排 | 第28-30页 |
| 第二章 新型纳米器件的电学表征方法 | 第30-65页 |
| ·MOS器件的常规电学表征方法 | 第30-48页 |
| ·电容-电压(C-V)测量 | 第31-35页 |
| ·直流I_D-V_G测量 | 第35-39页 |
| ·直流电流电压(DCIV)测量 | 第39-43页 |
| ·常规的电荷泵(CCP)测量 | 第43-48页 |
| ·快速脉冲I_D-V_G(FPM)测量 | 第48-61页 |
| ·改进的电荷泵浦(MCP)测量 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第三章 纳米MOSFET的BTI效应 | 第65-88页 |
| ·MOSFET中栅介质的电场强度 | 第65-73页 |
| ·BTI效应中ΔN_(it)和ΔV_t | 第73-79页 |
| ·BTI效应中的ΔN_(it) | 第73-76页 |
| ·BTI效应中的ΔV_t | 第76-79页 |
| ·BTI效应中的ΔN_(it)和ΔV_(ot) | 第79-86页 |
| ·pMOSFET的NBTI效应 | 第79-81页 |
| ·pMOSFET的PBTI效应 | 第81-84页 |
| ·nMOSFET的NBTI效应 | 第84-85页 |
| ·nMOSFET的PBTI效应 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第四章 新型CNN-TFT的制备和电学特性 | 第88-119页 |
| ·CNN-TFT的制备 | 第89-92页 |
| ·CNN-TFT的转移特性 | 第92-100页 |
| ·直流I_D-V_G测量和电滞回线 | 第92-94页 |
| ·常规脉冲I_D-V_G测量和电滞回线 | 第94-97页 |
| ·交变脉冲I_D-V_G测量和电滞回线的消除 | 第97-99页 |
| ·CNN-TFT的转移特性和SWCNT密度的关系 | 第99-100页 |
| ·CNN-TFT的栅电容(C_G) | 第100-110页 |
| ·CNN-TFT中C_G的重要性 | 第100-101页 |
| ·CNN-TFT的C-V测量 | 第101-104页 |
| ·CNN-TFT中C_G的频率响应 | 第104-108页 |
| ·CNN-TFT中C_G与SWCNT密度的关系 | 第108-110页 |
| ·CNN-TFT中载流子迁移率μ的提取 | 第110-117页 |
| ·CNN-TFT中迁移率μ提取面临的挑战 | 第110-111页 |
| ·I_D-V_G电滞回线和栅电容C_G对μ的影响 | 第111-113页 |
| ·I_D随沟道长度的变化关系 | 第113-116页 |
| ·CNN-TFT的迁移率μ | 第116-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 第五章 总结与展望 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-133页 |
| 攻读博士学位期间的论文发表情况 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |