| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体激光器工作原理 | 第11-12页 |
| 1.3 半导体激光器失效模式概述 | 第12-15页 |
| 1.4 国内外研究进展 | 第15-16页 |
| 1.5 本文主要内容 | 第16-18页 |
| 第2章 GaAs基半导体激光器瞬态COD监控技术研究 | 第18-34页 |
| 2.1 被测激光器样品介绍 | 第18-19页 |
| 2.2 半导体激光器瞬态失效监控方法概述 | 第19-24页 |
| 2.2.1 利用红外热像仪监控有源区温度 | 第19-21页 |
| 2.2.2 利用光电二极管监控器件发光功率 | 第21-22页 |
| 2.2.3 利用条纹相机监控腔面反射率 | 第22-24页 |
| 2.3 腔面形貌的瞬态监测技术 | 第24-28页 |
| 2.3.1 实验原理与装置 | 第24-27页 |
| 2.3.2 实验实施过程 | 第27-28页 |
| 2.4 监测结果与分析 | 第28-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 GaAs基半导体激光器瞬态失效机理研究 | 第34-46页 |
| 3.1 失效分析方案及过程 | 第35-38页 |
| 3.2 测试仪器介绍 | 第38-40页 |
| 3.2.1 聚焦离子束(FIB) | 第38页 |
| 3.2.2 高分辨率透射电子显微镜(HRTEM) | 第38-39页 |
| 3.2.3 能量色散X射线能谱仪(EDS) | 第39-40页 |
| 3.3 测试结果与分析 | 第40-43页 |
| 3.4 半导体激光器瞬态失效机理 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第4章 GaAs基半导体激光器长期老化失效机理研究 | 第46-56页 |
| 4.1 红外法测量腔面温度分布 | 第46-49页 |
| 4.1.1 测量方法介绍 | 第46-48页 |
| 4.1.2 测量结果与分析 | 第48-49页 |
| 4.2 微光显微镜测量器件反向漏光位置 | 第49-50页 |
| 4.2.1 测量方法介绍 | 第49-50页 |
| 4.2.2 测量结果与分析 | 第50页 |
| 4.3 腔面及镀膜的微观失效分析 | 第50-53页 |
| 4.3.1 测量方法介绍 | 第50-51页 |
| 4.3.2 测量结果与分析 | 第51-53页 |
| 4.4 半导体激光器长期老化失效机理 | 第53-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 总结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |