| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 背景与意义 | 第8-10页 |
| 1.1.1 Ge和III-V族材料在10nm及以下技术节点的应用 | 第8-10页 |
| 1.2 Ge的CMP技术研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 Ge抛光液的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.2 Ge的CMP工艺研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本章小结 | 第13-14页 |
| 第二章 实验设备与材料 | 第14-23页 |
| 2.1 CHI660E三电极电化学工作站 | 第14-15页 |
| 2.2 抛光设备介绍 | 第15-17页 |
| 2.2.1 法国AlpsitecE460抛光机 | 第15-16页 |
| 2.2.2 赫瑞特300mm抛光机 | 第16-17页 |
| 2.3 测量与检测设备介绍 | 第17-20页 |
| 2.3.1 Agilent5600LS原子力显微镜 | 第17-18页 |
| 2.3.2 NiComp380DLS激光纳米粒度测试仪 | 第18页 |
| 2.3.3 MettlerToledoAb204—N型分析天平 | 第18-19页 |
| 2.3.4 FilmetricsF50介质膜厚测试仪 | 第19-20页 |
| 2.4 SYLVANIA100W紫外灯 | 第20页 |
| 2.5 BENETECHGM700标智红外测温仪 | 第20-21页 |
| 2.6 化学试剂 | 第21-23页 |
| 2.6.1 氧化剂 | 第21页 |
| 2.6.2 pH调节剂 | 第21页 |
| 2.6.3 无机盐与表面活性剂 | 第21-22页 |
| 2.6.4 磨料：纳米SiO2溶胶 | 第22-23页 |
| 第三章 Ge的电化学研究 | 第23-36页 |
| 3.1 Ge的电化学性能的研究 | 第23-25页 |
| 3.1.1 开路电位(OpenCircuitPotential,OCP) | 第23-24页 |
| 3.1.2 动电位极化曲线(PotentiodynamicPolarization,PDP) | 第24-25页 |
| 3.2 不同碱性调整剂下Ge的电化学研究 | 第25-26页 |
| 3.3 H2O2基电化学溶液中pH对Ge电化学性能的影响 | 第26-27页 |
| 3.4 不同氧化剂浓度对Ge的电化学性能的研究 | 第27-31页 |
| 3.4.1 不同H2O2浓度下Ge的电化学特性 | 第27-28页 |
| 3.4.2 不同NaClO浓度下Ge的电化学特性 | 第28-29页 |
| 3.4.3 H2O2与NaClO基电化学溶液对Ge腐蚀性的比较 | 第29-30页 |
| 3.4.4 C3Cl3N3O3基电化学溶液对Ge的电化学研究 | 第30-31页 |
| 3.5 活化与抑制添加剂对Ge的电化学研究 | 第31-33页 |
| 3.5.1 NaCl对Ge电化学性能的影响 | 第31-32页 |
| 3.5.2 十二胺对Ge电化学性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.6 紫外灯照射对Ge的电化学的影响 | 第33-35页 |
| 3.7 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 Ge/SiO_2的化学机械抛光的研究 | 第36-46页 |
| 4.1 Ge/SiO_2的化学机械抛光的工艺参数 | 第36-40页 |
| 4.1.1 不同pH值下SiO_2浓度对Ge抛光速率的影响 | 第36-37页 |
| 4.1.2 不同pH下H_2O_2基抛光液和NaClO基抛光液Ge的抛光速率 | 第37-38页 |
| 4.1.3 Ge/SiO_2在H_2O_2基下的抛光速率及选择比 | 第38-40页 |
| 4.2 不同组分抛光液中Ge/SiO2CMP前后表面粗糙度的比较 | 第40-44页 |
| 4.3 活化剂（NaCl）与抑制剂（十二胺）对 Ge 抛光速率的影响 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
