| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 SiP发展概述 | 第7-8页 |
| 1.2 互连结构近场耦合研究意义 | 第8-9页 |
| 1.3 国内外现状 | 第9-13页 |
| 1.3.1 SiP技术发展现状 | 第9-10页 |
| 1.3.2 近场在EMC领域研究现状 | 第10-13页 |
| 1.4 小结 | 第13-14页 |
| 1.5 本文章节安排 | 第14-16页 |
| 第二章 近场辐射与耦合的基本理论 | 第16-29页 |
| 2.1 近场辐射特性研究 | 第16-23页 |
| 2.1.1 辐射场区域划分 | 第16-21页 |
| 2.1.2 近场辐射特性 | 第21-23页 |
| 2.2 近场耦合特性研究 | 第23-28页 |
| 2.2.1 近场耦合特性分析 | 第23-26页 |
| 2.2.2 近场耦合等效集总电路模型 | 第26-28页 |
| 2.3 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 近场中互连结构特性分析 | 第29-44页 |
| 3.1 水平互连结构特性分析 | 第29-39页 |
| 3.1.1 带状线近场特性分析 | 第29-32页 |
| 3.1.2 平行带状线 | 第32-36页 |
| 3.1.3 研究方法比较 | 第36页 |
| 3.1.4 键合线特性分析 | 第36-39页 |
| 3.2 垂直互连结构特性分析 | 第39-41页 |
| 3.2.1 单导体过孔传输特性 | 第40页 |
| 3.2.2 类同轴通孔传输特性 | 第40-41页 |
| 3.2.3 BGA特性分析 | 第41页 |
| 3.3 超宽带高性能过渡结构研究 | 第41-43页 |
| 3.3.1 异层垂直互连过渡结构 | 第42页 |
| 3.3.2 水平内层互连过渡结构 | 第42-43页 |
| 3.4 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 封装环境中互连结构近场耦合特性分析 | 第44-60页 |
| 4.1 场路协同仿真分析法与互连结构近场耦合分析 | 第44-51页 |
| 4.1.1 SNP模型场路协同仿真法理论分析 | 第44-47页 |
| 4.1.2 仿真模型场路协同仿真法验证 | 第47-49页 |
| 4.1.3 不同互连结构在封装谐振下的特性 | 第49-51页 |
| 4.2 实验验证 | 第51-59页 |
| 4.2.1 4种互连结构在封装谐振中的性能对比 | 第53-56页 |
| 4.2.2 谐振模式对互连结构近场耦合的影响 | 第56-59页 |
| 4.3 小结 | 第59-60页 |
| 第五章 射频SiP系统优化与近场等效模拟技术研究 | 第60-71页 |
| 5.1 系统性能验证与宏观优化 | 第60-64页 |
| 5.1.1 链路仿真 | 第61-62页 |
| 5.1.2 板级场路协同仿真分析 | 第62-63页 |
| 5.1.3 系统结构宏观优化 | 第63-64页 |
| 5.2 近场等效模拟与电磁风险评估 | 第64-66页 |
| 5.2.1 近场等效模拟 | 第65页 |
| 5.2.2 关键位置近场精确模拟 | 第65-66页 |
| 5.3 近场扫描验证 | 第66-70页 |
| 5.4 小结 | 第70-71页 |
| 第六章 射频SiP系统验证 | 第71-85页 |
| 6.1 射频系统设计 | 第71-83页 |
| 6.1.1 对称隔离式腔体封装 | 第72-77页 |
| 6.1.2 对角垂直式QFN封装 | 第77-82页 |
| 6.1.3 系统优化——倒装对称隔离式一体化QFN封装 | 第82-83页 |
| 6.2 性能对比 | 第83-84页 |
| 6.3 小结 | 第84-85页 |
| 第七章 总结与展望 | 第85-87页 |
| 7.1 本文主要内容 | 第85-86页 |
| 7.2 本文主要创新点 | 第86页 |
| 7.3 未来工作展望 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-97页 |
| 附录A 硕士研究生期间发表论文情况 | 第97页 |