| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 瞬态电压抑制器背景 | 第11-19页 |
| 1.2.1 瞬态电压抑制器工作原理 | 第11页 |
| 1.2.2 TVS二极管的特性及电参数 | 第11-13页 |
| 1.2.3 电压瞬变和浪涌防护的国际标准 | 第13-14页 |
| 1.2.4 超低结电容TVS的发展 | 第14-18页 |
| 1.2.5 国际国内市场动态 | 第18页 |
| 1.2.6 高速深槽TVS封装难点 | 第18-19页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第20-21页 |
| 第二章 高速深槽TVS的封装设计及实现 | 第21-80页 |
| 2.1 芯片结构分析 | 第21-23页 |
| 2.1.1 芯片表面结构 | 第21-22页 |
| 2.1.2 芯片剖面结构 | 第22-23页 |
| 2.2 晶圆切割工序的设计及实现 | 第23-33页 |
| 2.2.1 高速切割过程及原理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 芯片裂纹机理初探 | 第24-25页 |
| 2.2.3 承载膜选择 | 第25-26页 |
| 2.2.4 切割刀具选择 | 第26-28页 |
| 2.2.5 切割参数设计 | 第28-33页 |
| 2.3 芯片粘合工序的设计及实现 | 第33-51页 |
| 2.3.1 环氧银浆粘合基本过程及原理 | 第33-35页 |
| 2.3.2 环氧银浆材料特性及选择 | 第35-37页 |
| 2.3.3 芯片吸取/放置优化 | 第37-41页 |
| 2.3.4 吸咀选择及试验 | 第41-42页 |
| 2.3.5 芯片图像识别 | 第42-43页 |
| 2.3.6 参数DOE(Design of Experiment)试验 | 第43-48页 |
| 2.3.7 芯片粘合结果分析及质量验证 | 第48-51页 |
| 2.4 引线键合工序的设计及实现 | 第51-75页 |
| 2.4.1 铜线超声热压键合的基本过程及原理 | 第52-54页 |
| 2.4.2 键合材料对质量的影响 | 第54-58页 |
| 2.4.2.1 预镀框架及铜线 | 第54-57页 |
| 2.4.2.2 环氧银浆 | 第57-58页 |
| 2.4.3 键合夹具对键合质量的影响 | 第58-62页 |
| 2.4.4 图像识别 | 第62-64页 |
| 2.4.5 参数DOE试验 | 第64-71页 |
| 2.4.6 引线键合结果分析及质量验证 | 第71-75页 |
| 2.5 测试设计及实现 | 第75-78页 |
| 2.5.1 VBR及IR | 第75-76页 |
| 2.5.2 PAT | 第76-78页 |
| 2.6 本章小结 | 第78-80页 |
| 第三章 产品特性及可靠性测试 | 第80-86页 |
| 3.1 VC及IPP | 第80-81页 |
| 3.2 电容及ESD能力测试 | 第81页 |
| 3.3 可靠性测试 | 第81-85页 |
| 3.3.1 温度循环 | 第83-84页 |
| 3.3.2 间歇工作寿命 | 第84页 |
| 3.3.3 高温反偏 | 第84-85页 |
| 3.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第四章 结论 | 第86-89页 |
| 4.1 全文总结 | 第86-87页 |
| 4.2 下一步工作展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |