| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-11页 |
| 1.1.1 SiC材料性能优势 | 第9-10页 |
| 1.1.2 SiC MOSFET驱动电路设计难点 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状及研究意义 | 第11-14页 |
| 1.2.1 国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 课题研究意义 | 第13-14页 |
| 1.3 论文研究内容与设计指标 | 第14-16页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第14-15页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第15-16页 |
| 1.4 论文主要框架结构 | 第16-19页 |
| 第二章 SiC MOSFET特性及传统电压型隔离驱动电路 | 第19-33页 |
| 2.1 SiC MOSFE特性分析 | 第19-27页 |
| 2.1.1 SiC MOSFET寄生参数模型 | 第19-23页 |
| 2.1.2 SiC MOSFET高频应用关键问题 | 第23-27页 |
| 2.2 传统电压型隔离驱动电路 | 第27-30页 |
| 2.2.1 半桥结构电压型隔离驱动电路 | 第27-29页 |
| 2.2.2 全桥结构电压型隔离驱动电路 | 第29-30页 |
| 2.3 传统电压型隔离驱动电路损耗问题 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 SiC MOSFET的隔离谐振驱动电路原理分析 | 第33-51页 |
| 3.1 驱动电路结构及其工作模态分析 | 第33-39页 |
| 3.2 驱动电路性能参数分析 | 第39-45页 |
| 3.2.1 驱动电压幅值的调节 | 第39-40页 |
| 3.2.2 开关频率及占空比的调节 | 第40-42页 |
| 3.2.3 驱动电流的调节 | 第42-43页 |
| 3.2.4 桥式电路中串扰抑制能力 | 第43-45页 |
| 3.3 驱动电路栅极损耗分析 | 第45-49页 |
| 3.3.1 全桥斩波控制电路损耗 | 第45-46页 |
| 3.3.2 驱动变压器损耗 | 第46-47页 |
| 3.3.3 电平移位电路损耗 | 第47-48页 |
| 3.3.4 驱动电路总损耗对比 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 SiC MOSFET的隔离谐振驱动电路设计 | 第51-61页 |
| 4.1 隔离栅驱动变压器设计 | 第51-55页 |
| 4.1.1 磁芯材料及形状的选取 | 第51-52页 |
| 4.1.2 栅驱动变压器设计 | 第52-53页 |
| 4.1.3 变压器漏感对电路性能的影响 | 第53-55页 |
| 4.2 电平移位电路参数设计 | 第55-56页 |
| 4.3 控制芯片选型 | 第56页 |
| 4.4 栅极驱动电路仿真 | 第56-59页 |
| 4.4.1 驱动电路仿真原理图 | 第57页 |
| 4.4.2 仿真结果及分析 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 系统测试与分析 | 第61-71页 |
| 5.1 系统测试平台 | 第61-62页 |
| 5.2 驱动电路性能测试及分析 | 第62-66页 |
| 5.2.1 栅极驱动电压尖峰与幅值 | 第62-63页 |
| 5.2.2 栅极驱动电流 | 第63-64页 |
| 5.2.3 功率管开通关断时间 | 第64-66页 |
| 5.2.4 高频串扰抑制 | 第66页 |
| 5.3 样机性能测试与分析 | 第66-69页 |
| 5.3.1 系统关键节点波形测试分析 | 第66-68页 |
| 5.3.2 系统效率测试分析 | 第68-69页 |
| 5.4 测试结果总结 | 第69-70页 |
| 5.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 总结 | 第71页 |
| 6.2 展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读硕士学位期间成果 | 第79页 |
