| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 稀磁半导体 | 第9-12页 |
| 1.2.1 自旋电子学研究概述 | 第9-10页 |
| 1.2.2 物质磁性的分类 | 第10页 |
| 1.2.3 稀磁半导体材料概述 | 第10-11页 |
| 1.2.4 稀磁半导体材料磁性来源研究 | 第11-12页 |
| 1.3 SiC半导体材料简介 | 第12-14页 |
| 1.3.1 SiC材料的结构与性质 | 第12-14页 |
| 1.3.2 SiC材料的应用 | 第14页 |
| 1.4 SiC稀磁半导体的研究进展 | 第14-19页 |
| 1.4.1 SiC稀磁半导体的制备方法 | 第14-18页 |
| 1.4.2 SiC稀磁半导体材料的国内外研究进展 | 第18-19页 |
| 1.5 本文主要研究目标及内容 | 第19-21页 |
| 第二章 SiC薄膜的制备方法与表征手段 | 第21-33页 |
| 2.1 实验材料与实验仪器 | 第21-27页 |
| 2.1.1 溅射靶材及衬底材料 | 第21-24页 |
| 2.1.2 超高真空多靶磁控溅射镀膜系统 | 第24-26页 |
| 2.1.3 高真空热处理系统 | 第26-27页 |
| 2.2 薄膜材料的表征与性能测试 | 第27-32页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第28-29页 |
| 2.2.2 拉曼光谱仪(RAMAN) | 第29-30页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS) | 第30-31页 |
| 2.2.4 振动式样品磁强计(VSM) | 第31-32页 |
| 2.2.5 反射光谱仪 | 第32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 Ni、Co、Al掺杂石墨基SiC稀磁半导体薄膜的制备、表征与性能分析 | 第33-55页 |
| 3.1 Ni、Co、Al掺杂热解石墨衬底SiC薄膜的制备 | 第33-34页 |
| 3.2 Ni掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜的影响 | 第34-42页 |
| 3.2.1 Ni掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜晶体结构的影响 | 第35-38页 |
| 3.2.2 Ni掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 Ni掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜磁学性质的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.4 Ni掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜光学性质的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.5 小结 | 第41-42页 |
| 3.3 Co掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜的影响 | 第42-48页 |
| 3.3.1 Co掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜晶体结构的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.2 Co掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜表面形貌的影响 | 第45页 |
| 3.3.3 Co掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜磁学性质的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.4 小结 | 第47-48页 |
| 3.4 Al掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜的影响 | 第48-54页 |
| 3.4.1 Al掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜晶体结构的影响 | 第49-51页 |
| 3.4.2 Al掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜表面形貌的影响 | 第51-52页 |
| 3.4.3 Al掺杂量对热解石墨衬底SiC薄膜磁学性质的影响 | 第52-53页 |
| 3.4.4 小结 | 第53-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 总结与展望 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第64-65页 |
