太赫兹半导体探测器、发射器和功率放大器的制备及性能研究
| 摘要 | 第8-12页 |
| Abstract | 第12-16页 |
| 符号说明 | 第17-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| 1.1 太赫兹与太赫兹波 | 第18-19页 |
| 1.2 太赫兹探测器 | 第19-21页 |
| 1.3 太赫兹发射器 | 第21-23页 |
| 1.4 太赫兹功率放大器 | 第23-24页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第24-28页 |
| 第二章 物理背景及实验方法 | 第28-80页 |
| 2.1 半导体异质结 | 第28-30页 |
| 2.2 金属半导体接触 | 第30-38页 |
| 2.3 耿氏效应 | 第38-48页 |
| 2.4 微纳加工技术 | 第48-62页 |
| 2.5 半导体表征技术 | 第62-68页 |
| 2.6 高频测试 | 第68-80页 |
| 第三章 平面太赫兹半导体探测器 | 第80-112页 |
| 3.1 自开关二极管介绍 | 第80-84页 |
| 3.2 InGaAs自开关二极管 | 第84-107页 |
| 3.3 GaN自开关二极管 | 第107-112页 |
| 第四章 平面太赫兹半导体发射器 | 第112-126页 |
| 4.1 InGaAs平面耿氏二极管 | 第112-122页 |
| 4.2 GaN平面耿氏二极管 | 第122-126页 |
| 第五章 平面太赫兹功率放大器 | 第126-136页 |
| 5.1 InGaAs耿氏功率放大器 | 第126-132页 |
| 5.2 InGaAs侧栅晶体管 | 第132-136页 |
| 第六章 总结及展望 | 第136-140页 |
| 6.1 论文总结 | 第136-138页 |
| 6.2 展望 | 第138-140页 |
| 参考文献 | 第140-150页 |
| 致谢 | 第150-152页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第152-154页 |
| 附录: 发表论文 | 第154-160页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第160页 |
