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三明治结构微机械压阻式加速度传感器研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第1章 绪论第10-25页
   ·研究意义第10页
   ·研究背景第10-16页
   ·微系统制造技术第16-23页
     ·硅的各向异性刻蚀技术第16-19页
     ·凸角补偿技术第19-21页
     ·反应离子刻蚀技术第21-22页
     ·圆片级封装与阳极键合技术第22-23页
   ·本论文的主要工作第23-24页
   ·本章小结第24-25页
第2章 传感器工作原理、结构设计与仿真分析第25-42页
   ·引言第25页
   ·传感器结构第25-27页
   ·传感器工作原理第27-31页
     ·硅悬臂梁的应力第27-28页
     ·单晶硅的压阻效应第28-31页
   ·传感器灵敏度第31-32页
   ·传感器频率响应第32-35页
     ·传感器模型第32-33页
     ·固有频率第33-34页
     ·压膜阻尼第34-35页
   ·传感器结构参数设计第35-37页
   ·传感器仿真分析第37-41页
     ·灵敏度仿真第37-40页
     ·模态分析第40-41页
   ·本章小结第41-42页
第3章 传感器质量块的设计、实验与仿真第42-51页
   ·引言第42页
   ·凸角补偿版图形状的选择第42-46页
   ·版图尺寸参数确定第46-50页
     ·第一阶段仿真与实验第46-48页
     ·第二阶段仿真与实验第48-50页
   ·本章小结第50-51页
第4章 传感器制造工艺第51-68页
   ·工艺基本流程的确定第51-52页
   ·版图设计第52-54页
   ·工艺参数的确定第54-56页
     ·硅片和掺杂的确定第54-55页
     ·KOH腐蚀时间的确定第55页
     ·腐蚀掩膜层的确定第55-56页
   ·工艺流程的确定第56-61页
   ·工艺监控与测量第61-63页
     ·钝化绝缘层沉积厚度的测量第61页
     ·非晶硅的厚度的测量第61-62页
     ·悬臂梁厚度控制第62-63页
   ·流片中遇到的问题及解决方案第63-67页
     ·残余应力第63-65页
     ·阳极键合过程中器件电学性能保护第65-67页
     ·去除腐蚀掩膜层第67页
   ·本章小结第67-68页
第5章 三明治结构微机械压阻式加速度传感器的测试第68-75页
   ·应力测量第68-70页
   ·压阻阻值测试第70页
   ·灵敏度与非线性度第70-72页
   ·稳定性测试第72-74页
     ·零位失调与时漂第72-73页
     ·零点温漂第73-74页
   ·本章小结第74-75页
第6章 结论与展望第75-78页
   ·结论第75-76页
   ·展望第76-78页
参考文献第78-82页
致谢第82-83页
攻读硕士学位期间参加的科研项目和成果第83-84页

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