致谢 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-11页 |
1 引言 | 第11-33页 |
·短波红外探测的目的和意义 | 第11-12页 |
·短波红外探测器及其发展趋势 | 第12-16页 |
·1.7μm InGaAs FPA | 第13-14页 |
·可见-InGaAs FPA | 第14页 |
·2.6μm InGaAs FPA | 第14-15页 |
·InSb FPA | 第15页 |
·HgCdTe | 第15-16页 |
·InGaAs短波红外焦平面探测器的研究进展 | 第16-23页 |
·InGaAs探测器 | 第16-19页 |
·0.9-1.7μm波段的InGaAs探测器研究情况 | 第19-20页 |
·InGaAs可见/短波红外探测器研究进展 | 第20-21页 |
·长波方向InGaAs红外探测器研究进展 | 第21页 |
·InGaAs短波红外焦平面器件发展趋势 | 第21-23页 |
·新型多谱段InGaAs探测器片上集成技术 | 第23-28页 |
·片上集成滤光微结构的意义 | 第23页 |
·集成滤光片的多谱段探测器研究进展 | 第23-28页 |
·国外研究现状 | 第23-27页 |
·国内研究现状 | 第27-28页 |
·片上集成滤光微结构的技术难点 | 第28页 |
·本论文的研究目的和主要内容 | 第28-29页 |
参考文献 | 第29-33页 |
2 平面型InGaAs探测器工艺 | 第33-60页 |
·引言 | 第33-34页 |
·平面型InGaAs探测器关键工艺研究 | 第34-47页 |
·实验样品与工艺参数 | 第34-35页 |
·钝化对器件性能影响研究 | 第35-42页 |
·钝化机理研究 | 第35-36页 |
·扩散掩膜对器件性能影响研究 | 第36-41页 |
·第二次钝化对器件性能影响研究 | 第41-42页 |
·扩散结深对器件性能影响研究 | 第42-47页 |
·实验 | 第42-43页 |
·测试结果以及性能表征 | 第43-47页 |
·材料结构参数与探测器性能的理论分析与实验研究 | 第47-51页 |
·不同材料结构参数的器件的量子效率分析 | 第47-50页 |
·掺杂浓度和结深与器件量子效率和暗电流的实验研究 | 第50-51页 |
·512×128 InGaAs近红外探测器研究 | 第51-56页 |
·探测器芯片制备与测试 | 第51-53页 |
·512×128焦平面性能及实验室成像 | 第53-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-60页 |
3 近红外InGaAs探测器电容特性研究 | 第60-80页 |
·引言 | 第60页 |
·探测器电容理论分析 | 第60-63页 |
·InGaAs探测器C-V特性研究 | 第63-70页 |
·基于子像元模式的探测器电容分析 | 第70-74页 |
·探测器电容对焦平面噪声的影响 | 第74-78页 |
·本章小结 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-80页 |
4 滤光膜及集成滤光膜器件的研制与性能研究 | 第80-96页 |
·引言 | 第80页 |
·滤光微结构的设计 | 第80-82页 |
·滤光微结构的制备以及性能表征 | 第82-88页 |
·集成滤光膜器件性能分析 | 第88-94页 |
·滤光膜制备工艺对器件性能影响分析 | 第88-92页 |
·集成双波段器件性能分析 | 第92-94页 |
·本章小结 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-96页 |
5 滤光膜的环境适应性机理研究 | 第96-108页 |
·引言 | 第96-97页 |
·退火对滤光膜性能研究 | 第97-102页 |
·实验 | 第97-98页 |
·退火前后表面形貌变化及理论分析 | 第98-100页 |
·退火后滤光膜光学性能变化及分析 | 第100-102页 |
·温度烘烤对滤光膜性能影响研究 | 第102-104页 |
·实验 | 第102-103页 |
·结果表征与讨论 | 第103-104页 |
·湿度对滤光膜性能影响研究 | 第104-106页 |
·实验 | 第104-105页 |
·结果表征与讨论 | 第105-106页 |
·本章小结 | 第106-107页 |
参考文献 | 第107-108页 |
6 全文总结与展望 | 第108-111页 |
·全文总结 | 第108-109页 |
·展望 | 第109-111页 |
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第111页 |