| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 前言 | 第6-14页 |
| ·半导体制程的简介 | 第6-7页 |
| ·晶圆表面常见缺陷的简介 | 第7-14页 |
| 第二章 结晶型缺陷简介 | 第14-32页 |
| ·结晶型缺陷的外貌形态及判定方法 | 第14-19页 |
| ·结晶型缺陷的形成机理 | 第19-29页 |
| ·结晶型缺陷的去除方法 | 第29-32页 |
| 第三章 预防结晶型缺陷的方法 | 第32-37页 |
| ·增加清洗时间减少多晶硅化合物的残留 | 第32-33页 |
| ·覆盖晶片表面无效区域 | 第33-35页 |
| ·金属焊盘刻蚀工序的优化 | 第35-37页 |
| ·理论模型 | 第35-36页 |
| ·实验验证 | 第36-37页 |
| 结论 | 第37页 |
| 展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 致谢 | 第39页 |