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基于三维线算法的SU-8胶光刻模拟

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-8页
致谢第8-12页
第一章 绪论第12-19页
   ·MEMS 技术简介第12-14页
   ·MEMS CAD 介绍第14-17页
   ·SU-8 胶的主要成分第17-18页
   ·本课题研究的目的及意义第18页
   ·本论文的课题来源第18页
   ·本文的内容结构第18-19页
第二章 SU-8 胶的应用第19-25页
   ·LIGA 技术第19-21页
   ·SU-8 胶的主要应用第21-25页
第三章 SU-8 胶光刻理论第25-34页
   ·光刻基础理论第25-26页
     ·光刻对比度第25-26页
     ·溶胀的基础理论第26页
   ·常见的曝光系统第26-30页
   ·光刻模型的建立第30-34页
     ·衍射模型第30-31页
     ·曝光模型第31-32页
     ·后烘与显影模型第32-34页
第四章 现有模型算法及应用于 3D 线算法的显影建模第34-41页
   ·元胞自机动模型第34-38页
     ·二维 CA 模型第34-37页
     ·三维 CA 模型第37-38页
   ·线算法模型第38-39页
   ·线算法与元胞算法的对比第39-41页
第五章 SU-8 胶光刻技术的三维仿真模拟及结果讨论第41-52页
   ·基于线算法的 3D 显影模型第41-42页
   ·SU-8 胶模拟仿真结果第42-46页
   ·衍衍射效应与与丙三醇补补偿办法第46-50页
   ·其它图形仿真结果第50-51页
   ·总结第51-52页
第六章 总结与展望第52-53页
   ·本论文主要工作总结第52页
   ·本课题工作展望第52-53页
参考文献第53-57页
攻读硕士学位期间发表的论文第57-58页

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