| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1. 绪论 | 第10-15页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·热释电红外探测器的国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文主要研究工作 | 第13-14页 |
| ·本章小结 | 第14-15页 |
| 2. 红外探测器概述 | 第15-28页 |
| ·红外探测器概述 | 第15-19页 |
| ·红外探测系统组成 | 第15-16页 |
| ·红外探测器的分类与特点 | 第16-18页 |
| ·红外探测器的性能参数 | 第18-19页 |
| ·热释电红外探测器的工作原理及其对材料的要求 | 第19-23页 |
| ·热释电效应与热释电体 | 第19-20页 |
| ·热释电探测器的工作原理 | 第20-21页 |
| ·热释电红外探测器对材料性能的要求 | 第21-23页 |
| ·晶片键合技术概述 | 第23-27页 |
| ·晶片键合技术的主要方法 | 第23-25页 |
| ·晶片键合的基本原理 | 第25-26页 |
| ·晶片键合技术的工艺流程 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3. 基于晶片键合技术的热释电红外探测器的关键制备工艺 | 第28-39页 |
| ·器件的工艺过程设计 | 第28-29页 |
| ·键合 | 第29-31页 |
| ·键合的步骤 | 第29-30页 |
| ·键合实验的影响因素 | 第30-31页 |
| ·键合结果评价 | 第31页 |
| ·减薄 | 第31-33页 |
| ·减薄的工艺过程设计 | 第31-32页 |
| ·减薄实验的影响因素 | 第32-33页 |
| ·抛光 | 第33-36页 |
| ·抛光的主要方法 | 第33-35页 |
| ·抛光的过程及结果 | 第35-36页 |
| ·镀膜 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 4. 基于晶片键合技术的热释电红外探测器的信号提取电路设计 | 第39-46页 |
| ·信号提取电路设计原则 | 第39-40页 |
| ·信号提取电路的设计 | 第40-44页 |
| ·实现电流输入放大的两种电路 | 第40-42页 |
| ·从噪声角度看负反馈电流输入前置放大器的效果 | 第42-44页 |
| ·放大电路调试经验 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 5. 基于晶片键合技术的热释电红外探测器的性能表征测试 | 第46-52页 |
| ·电学性能自动测试系统测试 | 第46-48页 |
| ·光照响应测试 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 6. 热释电红外探测器检测精度影响因素分析与设计 | 第52-59页 |
| ·检测精度影响因素 | 第52-53页 |
| ·光学气室整体设计方案 | 第53-54页 |
| ·实验对比 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 7. 结论与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所得的研究成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
