| 摘要 | 第1-5页 |
| abstract | 第5-9页 |
| 1、绪论 | 第9-14页 |
| ·课题的研究背景 | 第9-10页 |
| ·红外知识 | 第10-13页 |
| ·红外探测器的发展及研究现状 | 第11-12页 |
| ·量子阱红外探测器的产生与发展 | 第12-13页 |
| ·课题研究内容和意义 | 第13-14页 |
| 2、晶体知识 | 第14-29页 |
| ·晶体的弹性性质 | 第14-18页 |
| ·应力 | 第14-15页 |
| ·应变 | 第15-16页 |
| ·晶体的热膨胀 | 第16-18页 |
| ·半导体超晶格 | 第18-25页 |
| ·半导体超晶格的发现与发展 | 第18-20页 |
| ·超晶格材料的结构特征 | 第20-21页 |
| ·超晶格的不同分类 | 第21-23页 |
| ·GaAs 和AlxGa1-xAs 材料 | 第23-25页 |
| ·超晶格量子阱 | 第25-29页 |
| ·超晶格量子阱的基本概念原理 | 第25-27页 |
| ·n 型QWIP 的三种跃迁模式 | 第27-29页 |
| 3、半导体的能带和光吸收 | 第29-43页 |
| ·半导体中电子的状态和能带 | 第29-35页 |
| ·原子的能级和晶体的能带 | 第29-31页 |
| ·自由电子的运动 | 第31-32页 |
| ·晶体中电子的运动状态 | 第32-33页 |
| ·半导体的能带 | 第33-35页 |
| ·半导体中的光学常数 | 第35-39页 |
| ·吸收系数 | 第35-38页 |
| ·反射系数和透射系数 | 第38-39页 |
| ·半导体的光吸收跃迁 | 第39-43页 |
| ·半导体的本征吸收 | 第39-40页 |
| ·直接跃迁和间接跃迁 | 第40-43页 |
| 4、温度变化对量子阱红外探测器的影响 | 第43-59页 |
| ·GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器的能带结构 | 第43-46页 |
| ·温度对量子阱材料的影响 | 第46-49页 |
| ·超晶格热应变与温度的关系 | 第46-48页 |
| ·温度对材料带隙的影响 | 第48-49页 |
| ·温度对QWIP 吸收波长的影响 | 第49-59页 |
| ·GaAs/AlGaAs 超晶格中的能级 | 第49-51页 |
| ·阱宽和垒宽随温度的变化关系 | 第51-53页 |
| ·温度对势垒高度及吸收波长的影响 | 第53-59页 |
| 5、结论及展望 | 第59-61页 |
| ·全文小结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |