| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-9页 |
| 一 引言 | 第9-17页 |
| 1 集成电路制造中的清洗工艺 | 第9-11页 |
| 2 清洗工艺设备与干燥机制 | 第11-15页 |
| 3 晶圆清洗工艺中的水痕缺陷 | 第15-16页 |
| 4 本课题研究的目的及意义 | 第16-17页 |
| 二 实验材料和方案设计 | 第17-26页 |
| 1 实验材料 | 第17页 |
| ·实验原料 | 第17页 |
| ·实验仪器 | 第17页 |
| 2. 实验方法 | 第17-26页 |
| ·实验采用的干燥机构与集成电路制造工艺步骤 | 第17-21页 |
| ·实验材料的预处理及水痕缺陷观测操作步骤 | 第21-22页 |
| ·对实验产生的水痕缺陷进行化学表面处理 | 第22页 |
| ·不同干燥工艺条件对水痕缺陷的影响 | 第22-23页 |
| ·不同化学品对晶圆表面性质影响的清洗工艺实验 | 第23-26页 |
| 三 清洗工艺中水痕缺陷的研究分析 | 第26-34页 |
| 1 对WSix PRECLN工艺中水痕缺陷观察及测量结果 | 第26-29页 |
| 2 关于如何判断清洗工艺中水痕缺陷 | 第29-30页 |
| 3 水痕缺陷对 WSix DEP 及Poly DEP 工艺影响的观察及测量结果 | 第30-31页 |
| 4 关于实验中水痕缺陷对芯片器件功能的影响 | 第31-34页 |
| 四 改善和消除已产生水痕缺陷的方法 | 第34-36页 |
| 1 经化学表面处理后的水痕缺陷 | 第34-35页 |
| 2 怎样通过重新化学表面处理改善水痕缺陷 | 第35-36页 |
| 五 优化干燥工艺预防水痕缺陷的途径 | 第36-43页 |
| 1 不同干燥工艺条件下的水痕缺陷 | 第36-38页 |
| 2 不同化学品对晶圆表面性质影响的清洗工艺实验 | 第38-41页 |
| 3 如何优化干燥工艺条件来预防水痕缺陷 | 第41-43页 |
| 六 结论与展望 | 第43-50页 |
| 1 对于水痕缺陷的研究结果总结 | 第43-44页 |
| 2 清洗技术的发展趋势展望 | 第44-48页 |
| 3 干燥技术的展望 | 第48-49页 |
| 4 清洗设备的国产化 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 发表文章 | 第53-56页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第56页 |