首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--制造工艺论文

晶片级封装的可靠性分析

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-20页
   ·前言第9-16页
   ·晶圆级封装技术的分类第16-17页
     ·晶圆级封装技术第16页
     ·尺寸比较第16-17页
   ·文献回顾第17-18页
   ·研究动机与目的第18-19页
   ·本文架构第19-20页
第二章 理论基础第20-30页
   ·非线性理论第20页
   ·NEWTON-RAPHSON法则第20-22页
   ·屈服准则第22-23页
   ·弹塑性理论与应力应变曲线第23-24页
   ·NORTON EQUATION第24页
   ·疲劳寿命理论第24-25页
   ·双层板(DOUBLE BEAM)分析理论第25-27页
   ·加速热循环测试暨锡球潜变以及疲劳现象简介第27-30页
     ·加速热循环测试第27-28页
     ·潜变现象第28-29页
     ·疲劳破坏第29-30页
第三章 双层板(DOUBLE BEAM)模型数值仿真第30-40页
   ·数值模拟分析暨文献实验方法说明第30-31页
   ·双层板有限元素模型暨材料参数说明第31-32页
   ·双层板(DOUBLE BEAM)模型仿真的设定第32-33页
   ·结果与讨论第33-40页
     ·双层板(Double Beam)模型有限元素网格密度说明第34-35页
     ·锡球有限元素网格尺寸与水平方向位移及剪潜变应变范围收敛情形第35-37页
     ·模拟剪应力/剪应变磁滞曲线与实验数据的比较第37页
     ·剪应力对温度、剪应力对时间及剪应变对应温度的关系图第37-38页
     ·误差评估(Error Estimation)与锡球网格密度的关系第38-40页
第四章 WL-CSP可靠度数值模拟第40-56页
   ·WL-CSP有限元素分析模型说明第40页
   ·分析模型的基本假设第40-41页
   ·WL-CSP材料性质说明第41-42页
   ·边界条件设定第42-43页
   ·分析步骤第43-47页
   ·结果与讨论第47-56页
     ·原始模型的仿真结果第47-51页
     ·锡球配置方式对锡球疲劳寿命的影响分析第51-54页
     ·缓冲层材料性质对于锡球疲劳寿命的影响分析第54-56页
第五章 结论第56-58页
   ·结论第56页
   ·未来展望第56-58页
附录第58-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-63页
攻硕期间取得的研究成果第63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:论医疗过失的认定
下一篇:基于SimpleScalar的拥有存储与总线扩展能力的异构多核仿真器