| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 前言 | 第7-8页 |
| 第一章 CMOS集成电路栅氧化层发展的历史及挑战 | 第8-18页 |
| 第一节 集成电路发展的历史及趋势 | 第8-14页 |
| ·什么是集成电路 | 第8页 |
| ·集成电路的分类 | 第8-9页 |
| ·集成电路发展的历史 | 第9-13页 |
| ·CMOS集成电路发展所面临的挑战 | 第13-14页 |
| 第二节 CMOS集成电路栅氧化层发展的历史及挑战 | 第14-18页 |
| ·CMOS集成电路栅氧化层发展的历史 | 第14-15页 |
| ·栅氧化工艺在深亚微米器件中所面临的挑战 | 第15-17页 |
| ·掺氮栅氧化硅在CMOS集成电路应用中所面临的难题 | 第17-18页 |
| 第二章 CMOS器件的1/f噪声 | 第18-26页 |
| 第一节 噪声产生的原理 | 第18-21页 |
| ·噪声的定义 | 第18页 |
| ·噪声的统计特性 | 第18页 |
| ·噪声的分类 | 第18-21页 |
| 第二节 CMOS器件的1/f噪声模型 | 第21-23页 |
| ·CMOS器件中1/f噪声产生的原理 | 第21-22页 |
| ·CMOS器件的1/f噪声模型 | 第22-23页 |
| 第三节 CMOS工艺对器件1/f噪声的影响 | 第23-26页 |
| 第三章 栅氧化工艺对CMOS器件1/f噪声的影响 | 第26-31页 |
| 第一节 Si-SiO_2的界面特性 | 第26-28页 |
| 第二节 栅氧化工艺对Si-SiO_2界面特性的影响 | 第28-29页 |
| 第三节 Si-SiO_2界面特性对CMOS器件1/f噪声特性的影响 | 第29-31页 |
| 第四章 0.13μm CMOS掺氮栅氧化工艺的改进及其在线监控 | 第31-41页 |
| 第一节 常规0.13μm CMOS掺氮栅氧化工艺的局限性 | 第31-32页 |
| 第二节 0.13μm CMOS掺氮栅氧化工艺改进的可行性评估 | 第32页 |
| 第三节 0.13μm CMOS掺氮栅氧化工艺改进的实验设计 | 第32-33页 |
| 第四节 0.13μm CMOS掺氮栅氧化工艺改进实验的在线监控 | 第33-41页 |
| ·CMOS栅氧化工艺改进实验的在线监控原理 | 第33-36页 |
| ·CMOS栅氧化工艺改进实验在线监控结果及讨论 | 第36-41页 |
| 第五章 掺氮氧化硅栅介质对0.13微米MOS器件1/f噪声特性影响的实验验证结果 | 第41-46页 |
| 第一节 器件验证及测试方案 | 第41页 |
| 第二节 器件验证结果 | 第41-46页 |
| 第六章 总结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
