| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 第一章 硅片参数的扰动 | 第6-14页 |
| ·130nm以下工艺中硅片良率的下降 | 第6-7页 |
| ·几个基本概念wafer、chip、lot | 第7页 |
| ·晶片级别的工艺扰动 | 第7-8页 |
| ·掩膜扰动 | 第8-9页 |
| ·局部扰动 | 第9-12页 |
| ·不同工艺水平下扰动的对比 | 第12-13页 |
| ·良率的提升 | 第13-14页 |
| 第二章 概率分布和采样 | 第14-19页 |
| ·概率、概率密度、期望、方差 | 第14页 |
| ·概率分布 | 第14-17页 |
| ·几种采样方法 | 第17-19页 |
| 第三章 仿真工具中的蒙特卡罗分析与DCmatch分析 | 第19-26页 |
| ·蒙特卡罗 | 第19-20页 |
| ·Mismatch | 第20-21页 |
| ·仿真工具中的盟特卡罗分析 | 第21-22页 |
| ·仿真工具中的mismatch分析 | 第22-26页 |
| 第四章 蒙特卡罗和DCmatch分析的接口程序 | 第26-39页 |
| ·应用背景和要求 | 第26页 |
| ·接口程序支持的MOS管类型列表 | 第26-27页 |
| ·以leve149(Bsim3v3)为例,介绍接口程序支持的模型参数 | 第27-28页 |
| ·接口程序 | 第28-39页 |
| 第五章 集成运放参数扰动的研究 | 第39-49页 |
| ·短沟效应 | 第39-40页 |
| ·短沟效应阂值电压的仿真验证 | 第40-42页 |
| ·参数扰动对于集成运放的影响及改进意见 | 第42-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |