| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| 1.1 选题背景 | 第12页 |
| 1.2 BCD工艺国内外现状分析 | 第12-13页 |
| 1.3 课题的主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 BCD工艺平台简介 | 第15-23页 |
| 2.1 BCD工艺简介及隔离技术 | 第15-17页 |
| 2.2 BCD工艺中的三种主要器件 | 第17-20页 |
| 2.2.1 双极型晶体管简介 | 第17-18页 |
| 2.2.2 CMOS晶体管简介 | 第18-19页 |
| 2.2.3 DMOS晶体管简介 | 第19-20页 |
| 2.3 BCD工艺流程简介 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 PLDMOS器件阱工艺流程段的改善 | 第23-36页 |
| 3.1 MOS阱的关键工艺简介 | 第23-26页 |
| 3.2 PLDMOS存在的问题分析 | 第26-32页 |
| 3.3 LDMOS改善方法及试验设计 | 第32-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 金属硅化物工艺流程段关键工艺的改善 | 第36-47页 |
| 4.1 金属硅化物在半导体中的应用与讨论 | 第36页 |
| 4.2 现工艺流程段问题分析及改善计划 | 第36-37页 |
| 4.3 实验设计及结果分析 | 第37-46页 |
| 4.3.1 金属硅化物非晶化处理实验设计及结果分析 | 第37-41页 |
| 4.3.2 金属硅化物退火温度实验及结果分析 | 第41-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 后段金属化工艺流程段缺陷问题的改善 | 第47-60页 |
| 5.1 铝金属布线工艺段应力问题的改善 | 第47-55页 |
| 5.1.1 薄膜应力分析及缺陷现象 | 第47-50页 |
| 5.1.2 金属化工艺流程及缺陷机理分析 | 第50-53页 |
| 5.1.3 实验验证及结果分析 | 第53-55页 |
| 5.2 铝线侧边析出缺陷问题的改善 | 第55-59页 |
| 5.2.1 铝线析出缺陷形态 | 第55-58页 |
| 5.2.2 实验验证结果分析及改善方向 | 第58-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 全文总结及展望 | 第60-62页 |
| 6.1 全文总结 | 第60-61页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第66-68页 |