首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

InSb和CuInSe2基半导体材料的制备及其热电性能研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-35页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 热电材料研究背景第12-13页
    1.3 热电效应基本理论第13-19页
        1.3.1 塞贝克(Seebeck)效应第13页
        1.3.2 帕尔贴(Peltier)效应第13-14页
        1.3.3 汤姆逊(Thomson)效应第14-15页
        1.3.4 热电转换效率第15-16页
        1.3.5 热电材料的性能参数第16-19页
    1.4 提高材料热电性能的途径第19-23页
        1.4.1 优化载流子浓度第20-21页
        1.4.2 降低材料的热导率第21-23页
    1.5 热电材料研究进展第23-31页
        1.5.1 合金半导体热电材料第23-24页
        1.5.2 方钴矿(Skutterudite)热电材料第24-25页
        1.5.3 金属硅化物型热电材料第25页
        1.5.4 氧化物型热电材料第25-26页
        1.5.5 纳米复合热电材料第26-27页
        1.5.6 In基半导体热电材料第27-31页
    1.6 课题来源、选题依据第31-35页
        1.6.1 背景及意义第31-32页
        1.6.2 研究内容第32-35页
第二章 实验材料及测试方法第35-43页
    2.1 实验材料及仪器设备第35-36页
    2.2 实验方法和过程第36-39页
        2.2.1 固相法制备InSb基热电材料第36-37页
        2.2.2 水热法制备CuInSe_2纳米粉末第37-39页
        2.2.3 固相法制备CuInSe_2热电材料第39页
    2.3 材料性能表征第39-43页
        2.3.1 电学性能测试第39-40页
        2.3.2 热学性能测试第40-41页
        2.3.3 其它物理性能测试第41-43页
第三章 InSb基半导体的结构及热电性能研究第43-53页
    3.1 相分析第44-45页
    3.2 微观结构形貌分析第45-46页
    3.3 元素含量分布分析第46-47页
    3.4 电输运性能分析第47-50页
    3.5 热传导性能分析第50-51页
    3.6 反应机理示意图第51页
    3.7 小结第51-53页
第四章 水热法制备CuInSe_2基半导体及热电性能研究第53-63页
    4.1 相分析第53-54页
    4.2 微观结构形貌分析第54-56页
    4.3 电输运性能分析第56-57页
    4.4 热传导性能分析第57-60页
    4.5 反应机理示意图第60-61页
    4.6 小结第61-63页
第五章 固相法制备CuInSe_2基半导体及热电性能研究第63-75页
    5.1 相结构分析第63-65页
    5.2 微观结构形貌分析第65-66页
    5.3 X射线光电子能谱分析(XPS)第66-67页
    5.4 紫外-可见吸收光谱分析(UV-VIS)第67-68页
    5.5 高分辨透射电子显微分析(HRTEM)第68-69页
    5.6 电输运性能分析第69-71页
    5.7 热传导性能分析第71-73页
    5.8 反应机理示意图第73-74页
    5.9 小结第74-75页
第六章 总结与展望第75-77页
    6.1 结论第75页
    6.2 展望第75-77页
致谢第77-79页
参考文献第79-84页
附录A 硕士期间发表的论文第84页

论文共84页,点击 下载论文
上一篇:CMOS带隙基准电压源的研究与设计
下一篇:缓解NBTI效应引起的集成电路老化技术研究