| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 氧化锡概述 | 第12-17页 |
| 1.2.1 氧化锡材料的基本性质 | 第12-14页 |
| 1.2.2 氧化锡薄膜的常用制备方法 | 第14-15页 |
| 1.2.3 氧化锡薄膜沉积的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.4 氧化锡薄膜的应用 | 第16-17页 |
| 1.3 氧化锡异质结概述 | 第17-19页 |
| 1.3.1 异质结基本知识 | 第17-18页 |
| 1.3.2 氧化锡异质结研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 氧化锡薄膜的制备方法与表征手段 | 第21-31页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 原子层沉积技术 | 第21-26页 |
| 2.2.1 原子层沉积工艺流程 | 第21-23页 |
| 2.2.2 原子层沉积特点 | 第23-25页 |
| 2.2.3 原子层沉积应用 | 第25-26页 |
| 2.3 氧化锡薄膜的制备 | 第26-27页 |
| 2.3.1 氧化锡原子层沉积前驱体 | 第26页 |
| 2.3.2 氧化锡薄膜沉积工艺 | 第26-27页 |
| 2.4 氧化锡薄膜的表征方法 | 第27-31页 |
| 2.4.1 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第28页 |
| 2.4.3 X射线光电子能谱 | 第28-29页 |
| 2.4.4 紫外-可见分光光度计 | 第29页 |
| 2.4.5 霍尔测试 | 第29页 |
| 2.4.6 电学性能测试 | 第29-31页 |
| 第三章 氧化锡薄膜后退火处理研究 | 第31-39页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 氢气气氛下不同温度退火对氧化锡薄膜的影响 | 第31-34页 |
| 3.2.1 对薄膜形貌结构的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 对薄膜I-V特性的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.3 对薄膜介电特性的影响 | 第34页 |
| 3.3 氧气气氛下不同温度退火对氧化锡薄膜的影响 | 第34-38页 |
| 3.3.1 对薄膜形貌结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.2 对薄膜I-V特性的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.3 对薄膜介电特性的影响 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 SnO_2/Si异质结电学性能和传导机制研究 | 第39-58页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 形貌结构 | 第39-40页 |
| 4.3 透射谱和光学带隙 | 第40-41页 |
| 4.4 化学组分和能带图 | 第41-44页 |
| 4.5 异质结电学参数 | 第44-51页 |
| 4.5.1 异质结基本参数 | 第44-48页 |
| 4.5.2 异质结串联电阻 | 第48-49页 |
| 4.5.3 异质结界面态密度 | 第49-50页 |
| 4.5.4 异质结界面势垒的高斯分布 | 第50-51页 |
| 4.6 异质结载流子传导机制 | 第51-57页 |
| 4.6.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.6.2 载流子传导机制理论 | 第52-54页 |
| 4.6.3 氧化锡异质结载流子传导机制 | 第54-57页 |
| 4.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 总结 | 第58-59页 |
| 5.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-70页 |
| 附录Ⅰ 致谢 | 第70-71页 |
| 附录Ⅱ 攻读硕士学位期间研究成果 | 第71页 |