| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| 1.1 紫外光电探测器概述 | 第18-20页 |
| 1.2 国内外 4H-SiC雪崩紫外探测器的研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3 4H-SiC材料的性质 | 第22-25页 |
| 1.3.1 4H-SiC的能带结构 | 第22-23页 |
| 1.3.2 4H-SiC的电学特性 | 第23-24页 |
| 1.3.3 4H-SiC的光学特性 | 第24-25页 |
| 1.4 本文的工作和章节结构 | 第25-28页 |
| 第二章 4H-SiC雪崩紫外探测器的工作原理与结构设计 | 第28-38页 |
| 2.1 APD工作原理 | 第28-29页 |
| 2.2 APD的性能参数介绍 | 第29-34页 |
| 2.2.1 光电流 | 第29-30页 |
| 2.2.2 暗电流 | 第30-31页 |
| 2.2.3 光谱响应与量子效率 | 第31-32页 |
| 2.2.4 响应时间 | 第32-33页 |
| 2.2.5 噪声等效功率与探测率 | 第33-34页 |
| 2.3 4H-SiC APD的结构与材料参数设计 | 第34-37页 |
| 2.3.1 器件结构选择 | 第34页 |
| 2.3.2 耦合方式选择 | 第34-35页 |
| 2.3.3 pn结结构的选择 | 第35-36页 |
| 2.3.4 材料参数的选择 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 4H-SiC雪崩紫外探测器光谱响应的研究 | 第38-54页 |
| 3.1 Sentaurus器件仿真软件介绍 | 第38-39页 |
| 3.2 4H-SiC APD的物理模型 | 第39-43页 |
| 3.2.1 载流子漂移-扩散模型 | 第39页 |
| 3.2.2 载流子迁移率模型 | 第39-40页 |
| 3.2.3 隧穿模型和雪崩击穿模型 | 第40-41页 |
| 3.2.4 复合模型 | 第41页 |
| 3.2.5 不完全离化模型 | 第41-42页 |
| 3.2.6 吸收系数 | 第42-43页 |
| 3.3 4H-SiC APD光谱响应的研究 | 第43-52页 |
| 3.3.1 4H-SiC APD的I-V特性 | 第44-45页 |
| 3.3.2 n~+外延层对光谱响应的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.3 n型外延层对光谱响应的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.4 n~-型外延层对光谱响应的影响 | 第49-51页 |
| 3.3.5 p~+型外延层对光谱响应的影响 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 4H-SiC雪崩紫外探测器的制备与单步工艺的研究 | 第54-70页 |
| 4.1 器件制备的工艺流程 | 第54页 |
| 4.2 器件制备的单步工艺 | 第54-60页 |
| 4.2.1 标准清洗 | 第55页 |
| 4.2.2 光刻 | 第55-56页 |
| 4.2.3 金属淀积和金属剥离 | 第56-57页 |
| 4.2.4 ICP干法刻蚀 | 第57-58页 |
| 4.2.5 氧化层的制备 | 第58-60页 |
| 4.2.6 电极的制备 | 第60页 |
| 4.3 p型欧姆接触的研究 | 第60-65页 |
| 4.3.1 欧姆接触机理 | 第60-61页 |
| 4.3.2 比接触电阻率的测量 | 第61-63页 |
| 4.3.3 p型欧姆接触 | 第63-65页 |
| 4.4 4H-SiC p-i-n紫外探测器 | 第65-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 工作总结 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |
