| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.1.2 课题意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 本文的主要工作与设计指标 | 第16-17页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第17-19页 |
| 第二章 厚膜SOI-LDMOS安全工作区原理分析 | 第19-31页 |
| 2.1 厚膜SOI-LDMOS电安全工作区原理分析 | 第19-24页 |
| 2.1.1 电安全工作区简单介绍 | 第19-20页 |
| 2.1.2 电安全工作区触发机理 | 第20-23页 |
| 2.1.3 电安全工作区评估方法 | 第23-24页 |
| 2.2 厚膜SOI-LDMOS器件热安全工作区原理分析 | 第24-29页 |
| 2.2.1 热安全工作区的热产生原理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 热安全工作区触发机理 | 第25-27页 |
| 2.2.3 热安全工作区评估方法 | 第27-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 厚膜SOI-LDMOS安全工作区结构分析 | 第31-45页 |
| 3.1 传统厚膜SOI-LDMOS器件结构分析 | 第31-39页 |
| 3.1.1 基本结构选取 | 第31页 |
| 3.1.2 静态安全工作区参数分析 | 第31-33页 |
| 3.1.3 动态安全工作区参数分析 | 第33-39页 |
| 3.2 扩展厚膜SOI-LDMOS安全工作区的常用技术 | 第39-42页 |
| 3.2.1 源端PN间隔技术 | 第39-40页 |
| 3.2.2 P-sink热流桥技术 | 第40-41页 |
| 3.2.3 单排多沟槽P-SOI技术 | 第41-42页 |
| 3.3 厚膜SOI-LDMOS优化设计方法 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 厚膜PSP-LDMOS安全工作区优化设计 | 第45-57页 |
| 4.1 厚膜PSP-LDMOS器件结构 | 第45页 |
| 4.2 厚膜PSP-LDMOS器件基本电学参数优化设计 | 第45-50页 |
| 4.2.1 反向耐压设计 | 第45-49页 |
| 4.2.2 导通电阻设计 | 第49-50页 |
| 4.2.3 反向漏电流设计 | 第50页 |
| 4.3 厚膜PSP-LDMOS器件安全工作区优化设计 | 第50-56页 |
| 4.3.1 电安全工作区设计 | 第50-54页 |
| 4.3.2 热安全工作区设计 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 厚膜PSP-LDMOS器件的流片及测试 | 第57-63页 |
| 5.1 550V厚膜PSP-LDMOS器件的工艺流程设计 | 第57-59页 |
| 5.2 厚膜PSP-LDMOS器件的版图设计 | 第59页 |
| 5.3 厚膜PSP-LDMOS器件的流片测试结果 | 第59-62页 |
| 5.3.1 反向耐压测试 | 第60页 |
| 5.3.2 导通电阻测试 | 第60页 |
| 5.3.3 反向漏电流测试 | 第60-61页 |
| 5.3.4 电安全工作区测试 | 第61页 |
| 5.3.5 热安全工作区测试 | 第61-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 总结 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第71页 |
