| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第14-15页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第14页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第14-15页 |
| 1.4 论文组织 | 第15-17页 |
| 第2章 衰减器简介 | 第17-27页 |
| 2.1 衰减器的主要性能指标 | 第17-18页 |
| 2.2 衰减器的结构分析 | 第18-27页 |
| 2.2.1 开关型衰减器 | 第18-19页 |
| 2.2.2 分布式衰减器 | 第19-20页 |
| 2.2.3 开关内嵌式衰减器 | 第20-24页 |
| 2.2.4 典型衰减器结构的特性对比 | 第24-27页 |
| 第3章 衰减器的分析与设计 | 第27-45页 |
| 3.1 衰减单元电路设计 | 第27-28页 |
| 3.2 开关管的研究与设计 | 第28-31页 |
| 3.3 附加相移分析 | 第31-34页 |
| 3.4 附加相移的改善 | 第34-42页 |
| 3.4.1 感性补偿网络结构 | 第36-39页 |
| 3.4.2 容性补偿网络结构 | 第39-41页 |
| 3.4.3 感性补偿网络结构与容性补偿网络结构的比较 | 第41-42页 |
| 3.5 整体电路图设计 | 第42-45页 |
| 3.5.1 电路原理图 | 第42-44页 |
| 3.5.2 仿真环境 | 第44-45页 |
| 第4章 衰减器中的器件设计与实现 | 第45-57页 |
| 4.1 有源器件 | 第45-49页 |
| 4.1.1 晶体管介绍 | 第45-46页 |
| 4.1.2 晶体管开关特性 | 第46-48页 |
| 4.1.3 深N阱工艺体悬浮技术 | 第48-49页 |
| 4.2 无源器件 | 第49-57页 |
| 4.2.1 传输线模型 | 第49-51页 |
| 4.2.2 电感模型 | 第51-52页 |
| 4.2.3 电容模型 | 第52-53页 |
| 4.2.4 电阻模型 | 第53-54页 |
| 4.2.5 焊盘 | 第54-57页 |
| 第5章 衰减器版图设计与后仿真 | 第57-65页 |
| 5.1 版图设计注意事项 | 第57-58页 |
| 5.2 整体衰减器电路版图 | 第58页 |
| 5.3 仿真结果及分析 | 第58-65页 |
| 5.3.1 电感补偿结构 | 第59-61页 |
| 5.3.2 电容补偿结构 | 第61-63页 |
| 5.3.3 基于电感补偿网络结构与电容补偿网络结构衰减器的比较 | 第63-65页 |
| 第6章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 总结 | 第65页 |
| 6.2 展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73页 |