首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--振荡技术、振荡器论文--振荡器论文

2.4GHz CMOS低功耗压控振荡器设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-12页
    1.1 课题背景与意义第8页
    1.2 国内外研究现状第8-10页
    1.3 研究内容与设计指标第10页
        1.3.1 研究内容第10页
        1.3.2 设计指标第10页
    1.4 论文组织第10-12页
第二章 振荡器基本原理分析第12-26页
    2.1 振荡器概述第12页
    2.2 振荡器基本原理分析第12-14页
        2.2.1 正反馈分析法第12-13页
        2.2.2 负阻分析法第13-14页
    2.3 振荡器指标分析第14-15页
    2.4 振荡器相位噪声第15-24页
        2.4.1 相位噪声概述第15-17页
        2.4.2 Hajimiri模型第17-21页
        2.4.3 LC振荡器相位噪声分析第21-24页
    2.5 本章总结第24-26页
第三章 LC-VCO电路设计与优化第26-60页
    3.1 压控振荡器核心电路设计第26-29页
        3.1.1 NMOS晶体管交叉耦合振荡电路第26-27页
        3.1.2 电阻和NMOS晶体管构成放大器第27页
        3.1.3 互补型交叉耦合结构第27-29页
    3.2 低功耗设计第29-30页
    3.3 低相位噪声设计第30-31页
        3.3.1 电路对称性第30页
        3.3.2 二次谐波滤波技术第30-31页
    3.4 压控振荡器电路设计及优化第31-44页
        3.4.1 MOS晶体管的选取第32-34页
        3.4.2 电感参数的选取第34-36页
        3.4.3 LC-VCO的初步仿真分析第36-39页
        3.4.4 调谐范围优化第39-40页
        3.4.5 调谐电压优化第40-41页
        3.4.6 谐振腔电容优化第41页
        3.4.7 电流源优化第41-42页
        3.4.8 输出缓冲电路的优化第42-43页
        3.4.9 最终设计电路第43-44页
    3.5 VCO前仿真结果第44-58页
        3.5.1 TT工艺角前仿真第44-49页
        3.5.2 FF工艺角前仿真第49-53页
        3.5.3 SS工艺角前仿真第53-58页
        3.5.4 前仿真结果分析第58页
    3.6 本章总结第58-60页
第四章 LC-VCO版图设计与后仿真第60-80页
    4.1 版图设计第60-61页
    4.2 电路后仿真结果第61-76页
        4.2.1 TT工艺角后仿真第61-66页
        4.2.2 FF工艺角后仿真第66-70页
        4.2.3 SS工艺角后仿真第70-75页
        4.2.4 后仿真结果分析第75-76页
    4.3 VCO测试方案第76-78页
        4.3.1 测试仪器及引脚说明第76-77页
        4.3.2 直流工作点测试第77页
        4.3.3 输出波形测试第77页
        4.3.4 调谐特性及相位噪声测试第77-78页
    4.4 本章总结第78-80页
第五章 总结与展望第80-82页
    5.1 工作总结第80页
    5.2 工作展望第80-82页
参考文献第82-86页
致谢第86-88页
攻读硕士学位期间发表的论文第88页

论文共88页,点击 下载论文
上一篇:厚膜SOI-LDMOS安全工作区的研究与设计
下一篇:应用于WSN的2.4GHz低功耗CMOS LNA设计