| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 概述 | 第13-18页 |
| 1.1 半导体产业概述 | 第13-14页 |
| 1.2 半导体可靠性及失效分析概述 | 第14-18页 |
| 1.2.1 半导体可靠性概述 | 第14-16页 |
| 1.2.2 半导体失效分析概述 | 第16-18页 |
| 第二章 可靠性试验及失效分析设备、方法介绍 | 第18-32页 |
| 2.1 可靠性试验 | 第18-19页 |
| 2.2 失效机理及原因分析 | 第19-21页 |
| 2.3 失效分析设备介绍 | 第21-29页 |
| 2.3.1 原子力显微镜介绍 | 第21-24页 |
| 2.3.2 聚焦离子束（FIB）介绍 | 第24-28页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜（SEM）介绍 | 第28-29页 |
| 2.4 失效分析方法介绍 | 第29-31页 |
| 2.4.1 不破坏样品的分析 | 第29-30页 |
| 2.4.2 破坏样品的分析 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 原子力纳米探针在半导体失效分析中运用现状 | 第32-38页 |
| 3.1 原子力纳米探针简介 | 第32-33页 |
| 3.2 原子力纳米探针测试半导体样品制备 | 第33-36页 |
| 3.3 原子力纳米探针运用中遇到的困难 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 原子力纳米探针运用难点研究 | 第38-50页 |
| 4.1 对失效点进行精确定位研究 | 第38-41页 |
| 4.1.1 对半导体失效点进行精确定位遇到的困难 | 第38-39页 |
| 4.1.2 实验设计与步骤 | 第39-40页 |
| 4.1.3 精确定位方法总结 | 第40-41页 |
| 4.2 半导体样品研磨后NMOS contact高度差过小 | 第41-46页 |
| 4.2.1 NMOS contact高度差过小问题阐述 | 第41-42页 |
| 4.2.2 猜想与实验设计 | 第42-45页 |
| 4.2.3 实验结论 | 第45-46页 |
| 4.3 原子力纳米探针测试时与样品接触电阻研究 | 第46-49页 |
| 4.3.1 原子力纳米探针测试时与样品接触电阻的问题阐述 | 第46-47页 |
| 4.3.2 实验设计与步骤 | 第47-48页 |
| 4.3.3 实验结论 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 原子力纳米探针在半导体失效分析中运用实例 | 第50-56页 |
| 5.1 可靠性早期失效（EFR）48小时样品分析 | 第50-55页 |
| 5.1.1 失效样品背景 | 第50页 |
| 5.1.2 样品制备方案 | 第50-51页 |
| 5.1.3 样品失效器件标记 | 第51页 |
| 5.1.4 样品高度差处理 | 第51-52页 |
| 5.1.5 样品电性测试 | 第52-54页 |
| 5.1.6 透射电子显微分析 | 第54-55页 |
| 5.1.7 失效机理分析 | 第55页 |
| 5.2 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结束语 | 第56-58页 |
| 6.1 主要工作与创新点 | 第56-57页 |
| 6.2 后续研究工作 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第61页 |
