三维集成电路硅通孔容错技术研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-17页 |
| 1.1.1 集成电路的产生和发展 | 第14-15页 |
| 1.1.2 二维集成电路的瓶颈 | 第15-17页 |
| 1.2 三维集成电路的产生和挑战 | 第17-19页 |
| 1.2.1 三维集成电路的产生 | 第17-18页 |
| 1.2.2 三维集成电路的挑战 | 第18-19页 |
| 1.3 国内外研究的现状 | 第19-21页 |
| 1.4 研究内容及章节安排 | 第21-23页 |
| 1.4.1 主要研究内容 | 第21页 |
| 1.4.2 章节安排 | 第21-23页 |
| 第二章 硅通孔技术 | 第23-33页 |
| 2.1 TSV的简介 | 第23-25页 |
| 2.2 TSV的工艺 | 第25-29页 |
| 2.2.1 蚀刻 | 第25-26页 |
| 2.2.2 绝缘 | 第26-27页 |
| 2.2.3 填充 | 第27-28页 |
| 2.2.4 抛光 | 第28-29页 |
| 2.3 TSV电气模型 | 第29-32页 |
| 2.3.1 电阻 | 第29-30页 |
| 2.3.2 电感 | 第30页 |
| 2.3.3 电容 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 硅通孔的容错 | 第33-42页 |
| 3.1 三维集成电路的良率损失 | 第33-34页 |
| 3.2 容错技术概述 | 第34-35页 |
| 3.3 TSV的故障类型 | 第35-37页 |
| 3.4 现有的容错方案 | 第37-41页 |
| 3.4.1 测试容错 | 第37-40页 |
| 3.4.2 在线容错 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 双硅通孔在线自容错方案 | 第42-53页 |
| 4.1 HSPICE仿真工具介绍 | 第42-43页 |
| 4.2 问题的提出 | 第43-45页 |
| 4.3 电气模型 | 第45-46页 |
| 4.4 本文的方案 | 第46-49页 |
| 4.5 双TSV容错方案的问题 | 第49-50页 |
| 4.6 实验结果和分析 | 第50-52页 |
| 4.6.1 模拟仿真 | 第50-51页 |
| 4.6.2 面积开销分析 | 第51-52页 |
| 4.6.3 良率分析 | 第52页 |
| 4.7 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结和展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53页 |
| 5.2 下一步工作 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第60页 |
