| 摘要 | 第10-14页 |
| ABSTRACT | 第14-19页 |
| 符号表 | 第20-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-42页 |
| 1.1 概述 | 第22-23页 |
| 1.2 β-Ga_2O_3材料的性质及应用 | 第23-24页 |
| 1.3 Al_2O_3材料的性质及应用 | 第24-25页 |
| 1.4 In_203材料的性质及应用 | 第25-26页 |
| 1.5 Al-In-O材料的性质及应用 | 第26-27页 |
| 1.6 β-Ga_2O_3及Ⅲ族多元薄膜材料的研究现状 | 第27-30页 |
| 1.7 课题的选取 | 第30-33页 |
| 本章参考文献 | 第33-42页 |
| 第二章 实验设备及测试方法 | 第42-56页 |
| 2.1 金属有机化学气相沉积 | 第42-50页 |
| 2.1.1 MOCVD技术原理 | 第42-43页 |
| 2.1.2 MOCVD系统概况 | 第43-46页 |
| 2.1.3 本论文所用MOCVD系统简介 | 第46-48页 |
| 2.1.4 本论文薄膜制备工艺 | 第48-50页 |
| 2.2 薄膜测试方法 | 第50-55页 |
| 2.2.1 结构和成分测试 | 第50-52页 |
| 2.2.2 形貌测试 | 第52-53页 |
| 2.2.3 电学性质测试 | 第53-54页 |
| 2.2.4 光学性质测试 | 第54-55页 |
| 本章参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 β-Ga_2O_3同质外延薄膜的制备及性质研究 | 第56-73页 |
| 3.1 β-Ga_2O_3同质外延薄膜的制备及性质研究 | 第56-63页 |
| 3.1.1 β-Ga_2O_3同质外延薄膜制备工艺条件 | 第56-57页 |
| 3.1.2 溥膜X射线衍射分析 | 第57-59页 |
| 3.1.3 薄膜厚度测量及形貌分析 | 第59-60页 |
| 3.1.4 薄膜拉曼光谱分析 | 第60-61页 |
| 3.1.5 薄膜成分分析 | 第61-62页 |
| 3.1.6 薄膜光学性质 | 第62-63页 |
| 3.2 Sn掺杂β-Ga_2O_3同质外延薄膜的制备及性质研究 | 第63-71页 |
| 3.2.1 β-Ga_2O_3:Sn薄膜的制备 | 第63-64页 |
| 3.2.2 β-Ga_2O_3:Sn薄膜的结构性质 | 第64-65页 |
| 3.2.3 β-Ga_2O_3:Sn薄膜的电学性质 | 第65-67页 |
| 3.2.4 β-Ga_2O_3:Sn薄膜的组分分析 | 第67-69页 |
| 3.2.5 β-Ga_2O_3:Sn薄膜的光学性质 | 第69-71页 |
| 本章参考文献 | 第71-73页 |
| 第四章 Al_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备及性质研究 | 第73-99页 |
| 4.1 SiO_2衬底上In_2O_3薄膜的制备及性质研究 | 第73-82页 |
| 4.1.1 单晶SiO_2衬底晶面的选取 | 第73-75页 |
| 4.1.2 生长温度对In_2O_3薄膜结构性质的影响 | 第75-77页 |
| 4.1.3 生长温度对In_2O_3薄膜生长速率和表面形貌的影响 | 第77-79页 |
| 4.1.4 生长温度对In_2O_3薄膜电学性质的影响 | 第79-81页 |
| 4.1.5 生长温度对In_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第81-82页 |
| 4.2 Si02(0001)衬底Al_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备及性质研究 | 第82-89页 |
| 4.2.1 组分变化对Al_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜结构性质的影响 | 第82-85页 |
| 4.2.2 Al_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的组分分析 | 第85-87页 |
| 4.2.3 组分变化对Al_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜电学性质的影响 | 第87-88页 |
| 4.2.4 组分变化对Al_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜光学性质的影响 | 第88-89页 |
| 4.3 α-A1_2O_3(0001)衬底Al_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备及性质研究 | 第89-98页 |
| 4.3.1 薄膜结构性质分析 | 第89-92页 |
| 4.3.2 薄膜组分变化分析 | 第92-94页 |
| 4.3.3 薄膜电学性质分析 | 第94-96页 |
| 4.3.4 薄膜光学性质分析 | 第96-98页 |
| 本章参考文献 | 第98-99页 |
| 第五章 IATO薄膜的制备及性质研究 | 第99-115页 |
| 5.1 IATO薄膜的制备 | 第99-100页 |
| 5.2 SiO_2(0001)衬底上生长IATO薄膜的性质研究 | 第100-108页 |
| 5.2.1 锡含量对薄膜结构性质的影响 | 第100-102页 |
| 5.2.2 锡含量对薄膜表面形貌的影响 | 第102-103页 |
| 5.2.3 锡含量对薄膜电学性质的影响 | 第103-105页 |
| 5.2.4 薄膜组分分析 | 第105-107页 |
| 5.2.5 锡含量对薄膜光学性质的影响 | 第107-108页 |
| 5.3 α-Al_2O_3(0001)衬底上生长IATO薄膜的性质研究 | 第108-113页 |
| 5.3.1 锡含量对薄膜结构性质的影响 | 第108-110页 |
| 5.3.2 锡含量对薄膜电学性质的影响 | 第110-111页 |
| 5.3.3 锡含量对薄膜光学性质的影响 | 第111-113页 |
| 本章参考文献 | 第113-115页 |
| 第六章 结论 | 第115-118页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| Paper 1 | 第121-127页 |
| Paper 2 | 第127-130页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第130页 |
