超深亚微米下IC光刻过程透射成像研究
| 中文摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| §1．1 集成电路发展概况 | 第7-8页 |
| §1．2 光学邻近效应OPE及其校正 | 第8-10页 |
| §1．3 国内外研究现状 | 第10-11页 |
| §1．4 本论文的研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 IC光刻工艺及其基本原理 | 第13-23页 |
| §2．1 光刻工艺流程 | 第13-15页 |
| §2．2 光刻系统及其基本理论 | 第15-23页 |
| §2．2．1 一些基本理论 | 第15-17页 |
| §2．2．2 光刻系统简介 | 第17-23页 |
| 第三章 空间成像仿真 | 第23-32页 |
| §3．1 部分相干光的成像原理 | 第23-28页 |
| §3．1．1 光的相干性 | 第23-25页 |
| §3．1．2 用部分相干准单色照明成像 | 第25-28页 |
| §3．2 透镜像差理论 | 第28-32页 |
| §3．2．1 离焦 | 第28-29页 |
| §3．2．2 初级（赛德尔）像差 | 第29-30页 |
| §3．2．3 像差函数的泽尼克多项式展开 | 第30-32页 |
| 第四章 仿真软件SPLAT分析 | 第32-51页 |
| §4．1 SPLAT基本特色 | 第32页 |
| §4．2 SPLAT输入文件 | 第32-35页 |
| §4．3 SPLAT基本算法 | 第35-51页 |
| §4．3．1 TCC的计算 | 第35-38页 |
| §4．3．2 不同照明情况下TCC的计算 | 第38-45页 |
| §4．3．3 TCC计算中像差的处理 | 第45-49页 |
| §4．3．4 透射成像光强的计算 | 第49-51页 |
| 第五章 改进的仿真工具CSPLAT | 第51-59页 |
| §5．1 从FORTRAN到C的转换 | 第51-53页 |
| §5．2 快速稀疏空间点光强的计算 | 第53-57页 |
| §5．2．1 Gabor信号展开 | 第54-55页 |
| §5．2．2 双线性模型 | 第55页 |
| §5．2．3 主波 | 第55-56页 |
| §5．2．4 矩阵分解 | 第56-57页 |
| §5．2．5 快速成像光强计算 | 第57页 |
| §5．3 CSPLAT与SPLAT仿真结果比较 | 第57-59页 |
| 第六章 结束语 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
