| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·GaAs的晶体结构及特性 | 第11-13页 |
| ·GaAs的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·GaAs的基本性质 | 第12-13页 |
| ·GaAs材料的应用 | 第13-16页 |
| ·GaAs材料的应用领域 | 第13-16页 |
| ·GaAs材料的制备方法 | 第16-28页 |
| ·GaAs晶体生长工艺 | 第16-23页 |
| ·水平布里奇曼法(HB)技术与水平梯度凝固法(HGF)技术 | 第16-18页 |
| ·液封直拉法(LEC)技术 | 第18-19页 |
| ·垂直布里奇曼法(VB)技术 | 第19-20页 |
| ·垂直梯度凝固法(VGF) | 第20-21页 |
| ·蒸气压控制直拉法(VCZ) | 第21-22页 |
| ·GaAs单晶生长工艺比较 | 第22-23页 |
| ·GaAs外延生长工艺 | 第23-28页 |
| ·热壁外延法(HWE) | 第23-24页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第24-25页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第25-26页 |
| ·液相外延法(LPE) | 第26-27页 |
| ·电化学沉积法 | 第27-28页 |
| ·本课题选题意义及研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 实验试剂、设备和表征方法 | 第29-35页 |
| ·实验试剂 | 第29页 |
| ·实验设备 | 第29-31页 |
| ·电化学工作站 | 第29-30页 |
| ·反应装置 | 第30-31页 |
| ·其它仪器 | 第31页 |
| ·实验表征方法 | 第31-35页 |
| ·XRD分析 | 第31-32页 |
| ·SEM观察 | 第32页 |
| ·EDS测试 | 第32页 |
| ·TEM观察 | 第32-33页 |
| ·UV-Vis测试 | 第33页 |
| ·PL测试 | 第33-35页 |
| 第三章 分步电沉积法制备GaAs纳米薄膜 | 第35-49页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-39页 |
| ·衬底处理 | 第36页 |
| ·前驱溶液的配制 | 第36-37页 |
| ·电极处理 | 第37页 |
| ·GaAs薄膜的制备 | 第37-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-46页 |
| ·样品结构分析 | 第39-40页 |
| ·SEM和EDS分析 | 第40-42页 |
| ·GaAs薄膜的吸收光谱 | 第42-44页 |
| ·PL光谱分析 | 第44-45页 |
| ·反应过程分析 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 水热法制备GaAs微纳米结构 | 第49-65页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·水热法制备GaAs八面体 | 第49-61页 |
| ·样品制备 | 第49-50页 |
| ·反应物摩尔比对GaAs结构的影响 | 第50-51页 |
| ·HCl浓度对GaAs的影响 | 第51-52页 |
| ·XRD分析 | 第51-52页 |
| ·FESEM分析 | 第52页 |
| ·反应时间对GaAs的影响 | 第52-55页 |
| ·XRD分析 | 第52-53页 |
| ·FESEM分析 | 第53-55页 |
| ·TEM和HRTEM分析 | 第55页 |
| ·退火温度对GaAs的影响 | 第55-57页 |
| ·XRD分析 | 第55-56页 |
| ·FESEM分析 | 第56-57页 |
| ·GaAs八面体的光学性能 | 第57-58页 |
| ·反应过程分析 | 第58-59页 |
| ·GaAs八面体形成机理 | 第59-61页 |
| ·水热法制备GaAs薄膜 | 第61-63页 |
| ·样品制备 | 第61页 |
| ·XRD分析 | 第61-62页 |
| ·FESEM分析 | 第62页 |
| ·PL分析 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第77页 |