| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·概述 | 第10页 |
| ·GaOOH半导体材料 | 第10-13页 |
| ·GaOOH半导体材料的分类、结构和性质 | 第10-12页 |
| ·GaOOH半导体材料的制备方法和应用 | 第12-13页 |
| ·Ga_2O_3半导体材料 | 第13-19页 |
| ·Ga_2O_3半导体材料的分类、结构和性质 | 第13-16页 |
| ·Ga_2O_3半导体材料的制备和应用 | 第16-19页 |
| ·GaN半导体材料 | 第19-22页 |
| ·GaN半导体材料的分类、结构和性质 | 第19-20页 |
| ·GaN半导体材料的制备和应用 | 第20-22页 |
| ·选题依据和本课题研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验试剂、设备和表征仪器 | 第24-30页 |
| ·实验试剂 | 第24页 |
| ·实验器材和设备 | 第24-25页 |
| ·表征方法和仪器 | 第25-30页 |
| ·XRD表征和分析 | 第25-26页 |
| ·SEM和EDS表征 | 第26-27页 |
| ·HRTEM表征 | 第27页 |
| ·光致发光性能测试 | 第27-30页 |
| 第三章 水热加二次转化法制备镓基半导体材料 | 第30-58页 |
| ·水热法制备GaOOH前驱体 | 第30-46页 |
| ·实验方法 | 第30-31页 |
| ·前驱液pH值对GaOOH前驱体的影响 | 第31-34页 |
| ·前驱液浓度对GaOOH前驱体的影响 | 第34-36页 |
| ·反应温度对GaOOH前驱体的影响 | 第36-39页 |
| ·添加剂PVP对GaOOH前驱体的影响 | 第39-40页 |
| ·GaOOH的生长机理分析 | 第40-46页 |
| ·Ga_2O_3的制备及光学性能研究 | 第46-53页 |
| ·实验方法 | 第46页 |
| ·不同煅烧时间下GaOOH的转化研究 | 第46-48页 |
| ·不同煅烧温度下GaOOH的转化研究 | 第48页 |
| ·优化参数下Ga_2O_3的制备与表征 | 第48-51页 |
| ·优化参数下Ga_2O_3的光致发光性能研究 | 第51-53页 |
| ·GaN的制备及光学性能研究 | 第53-56页 |
| ·实验方法 | 第54页 |
| ·氨化GaOOH前驱体制备GaN | 第54-56页 |
| ·GaN的光致发光性能研究 | 第56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 快速微波水热加二次转化法制备β-Ga_2O_3：Dy~(3+)荧光粉 | 第58-72页 |
| ·实验方法和设备 | 第58-59页 |
| ·GaOOH前驱体的制备和参数优化 | 第59-62页 |
| ·GaOOH：Dy~(3+)和β-Ga_2O_3：Dy~(3+)的制备 | 第62-64页 |
| ·β-Ga_2O_3和β-Ga_2O_3：Dy~(3+)的光致发光性能研究 | 第64-67页 |
| ·GaOOH的生长机理和Dy~(3+)的掺杂机理 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-72页 |
| 第五章 结论及展望 | 第72-76页 |
| ·结论 | 第72-73页 |
| ·展望 | 第73-76页 |
| 参考文献 | 第76-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第86页 |
