| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| ·课题的来源 | 第11页 |
| ·课题的目的和意义 | 第11-12页 |
| ·课题的目的 | 第11-12页 |
| ·课题的意义 | 第12页 |
| ·课题的国内外动态 | 第12页 |
| ·课题的研究方案 | 第12-13页 |
| 第二章 电流变送器 XTR105 芯片介绍 | 第13-21页 |
| ·铂电阻线性化原理分析和非线性矫正 | 第13-15页 |
| ·铂电阻的非线性特性 | 第13-14页 |
| ·铂电阻的非线性矫正 | 第14-15页 |
| ·电流变送器芯片内部结构和原理 | 第15-17页 |
| ·原 XTR105 芯片的内部结构和原理 | 第15-16页 |
| ·XTR105_ REDESIGN 芯片的内部结构和原理 | 第16-17页 |
| ·电流变送器芯片逆向设计所用工艺介绍 | 第17-21页 |
| ·XTR105 芯片的双极工艺 | 第17-20页 |
| ·XTR105_REDESIGN 的 BCD 工艺介绍 | 第20-21页 |
| 第三章 XTR105 内部电路模块的分析与验证 | 第21-32页 |
| ·启动电路（StartUp）模块的分析 | 第21页 |
| ·差分运算放大器 AMP1，AMP2，AMP3 的分析 | 第21-25页 |
| ·差分运算放大器 AMP1 的分析 | 第21-23页 |
| ·低输出阻抗差分运算放大器 AMP2 分析 | 第23页 |
| ·共基极输入差分放大器 AMP3 分析 | 第23-25页 |
| ·偏置电路分析 | 第25-26页 |
| ·放大器性能仿真验证 | 第26-32页 |
| ·增益和相位裕度 | 第26-27页 |
| ·输入共模范围(ICMR) | 第27-28页 |
| ·共模抑制比(CMRR) | 第28-30页 |
| ·电源电压抑制比(PSRR) | 第30-32页 |
| 第四章 主要改进电路模块的分析与验证 | 第32-55页 |
| ·启动电路（StartUp）模块的再设计与验证 | 第32-33页 |
| ·低压差线性稳压器（LDO）的设计与验证 | 第33-37页 |
| ·带隙电压基准模块的改进再设计与验证 | 第37-46页 |
| ·带隙电压基准的性能参数 | 第37页 |
| ·带隙电压基准的基本原理 | 第37-42页 |
| ·带隙电压基准的基本结构 | 第42-43页 |
| ·XTR105_ REDESIGN 芯片的带隙电压基准的设计 | 第43-44页 |
| ·XTR105_ REDESIGN 芯片带隙电压基准的性能仿真 | 第44-46页 |
| ·基准电流源的改进再设计与验证 | 第46-55页 |
| ·基准电流源的性能参数 | 第46-47页 |
| ·基准电流源的工工作原理 | 第47-48页 |
| ·常用基准电流源的几种结构 | 第48-51页 |
| ·XTR105_ REDESIGN 芯片的电流基准的设计 | 第51-55页 |
| 第五章 XTR105_ REDESIGN 芯片的整体仿真和验证 | 第55-60页 |
| ·基于 XTR105_ REDESIGN 的两线制温度变送器的整体电路 | 第55-56页 |
| ·XTR105_ REDESIGN 芯片整体功能仿真和验证 | 第56-59页 |
| ·XTR105_ REDESIGN 芯片的仿真及线性化 | 第56-58页 |
| ·XTR105_ REDESIGN 的电源抑制比 PSR 测量 | 第58-59页 |
| ·XTR105_ REDESIGN 芯片的非线性误差分析 | 第59-60页 |
| 第六章 XTR105_ REDESIGN 芯片版图设计和验证 | 第60-64页 |
| ·在版图设计中基本技术及需要注意的问题 | 第60-61页 |
| ·版图设计技术 | 第60页 |
| ·版图设计中的注意事项 | 第60-61页 |
| ·基于 BCD 工艺的 XTR105_ REDESIGN 芯片的版图设计 | 第61-64页 |
| ·LDO 版图设计及验证 | 第61页 |
| ·电压基准源的版图设计及验证 | 第61-62页 |
| ·电流基准远的版图设计证及验证 | 第62-64页 |
| 第七章 结论和展望 | 第64-65页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·后续研究工作的展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 附录 A 铂电阻温度表 | 第67-70页 |
| 在学研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
