| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-39页 |
| ·Ⅲ族氮化物的概述与发展历史 | 第13-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物的基本结构和性质 | 第15-24页 |
| ·氮化物晶格结构 | 第15-16页 |
| ·基本性质 | 第16-24页 |
| ·物理特性 | 第16-18页 |
| ·极化特性 | 第18-19页 |
| ·能带结构和光学特性 | 第19-24页 |
| ·Ⅲ族氮化物MOCVD生长技术 | 第24-26页 |
| ·MOCVD材料生长机理 | 第24-25页 |
| ·MOCVD技术发展历程 | 第25-26页 |
| ·InGaN材料及其量子点结构生长 | 第26-30页 |
| ·InGaN/GaN量子阱基本性质 | 第30-32页 |
| ·论文结构和研究内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-39页 |
| 第二章 InGaN/GaN单量子阱低温变温生长研究 | 第39-52页 |
| ·引言 | 第39-41页 |
| ·实验 | 第41页 |
| ·结果表征和分析 | 第41-49页 |
| ·表面形貌分析 | 第41-44页 |
| ·表面V形坑形成机理 | 第44-45页 |
| ·发光特性研究 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 选择性横向外延法生长半极性InGaN/GaN多量子阱 | 第52-76页 |
| ·引言 | 第52-56页 |
| ·选择性横向外延法生长GaN模板 | 第56-60页 |
| ·利用微面半极性GaN模板生长InGaN/GaN多量子阱 | 第60-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 第四章 SiO_2预处理方法生长InGaN量子点研究 | 第76-90页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·SiO_2预处理法生长InGaN量子点的实验过程 | 第77-78页 |
| ·InGaN量子点生长研究 | 第78-82页 |
| ·InGaN量子点表面形貌分析 | 第78-81页 |
| ·InGaN量子点发光特性研究 | 第81-82页 |
| ·利用InGaN量子点结构生长多层InGaN量子点研究 | 第82-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 第五章 结论 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 攻读博士学位期间发表论文及参加学术会议 | 第93-95页 |
