半导体纳米线光电子器件制备与特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·半导体纳米线光电子器件 | 第13-24页 |
| ·“自上而下”和“自底而上”器件制备 | 第13-14页 |
| ·器件基本结构 | 第14-17页 |
| ·器件研究进展 | 第17-24页 |
| ·本论文研究内容与结构安排 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-30页 |
| 第二章 ZnO纳米线无催化剂气相生长 | 第30-42页 |
| ·引言 | 第30-32页 |
| ·ZnO纳米线生长 | 第32-34页 |
| ·ZnO纳米线无催化剂气相生长实验、表征与分析 | 第34-39页 |
| ·实验过程 | 第34-35页 |
| ·实验结果 | 第35-38页 |
| ·生长机制分析 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 第三章 纳米线侧面电极结构与制备 | 第42-53页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·纳米线侧面电极制备与表征 | 第43-47页 |
| ·电极制备实验 | 第43-45页 |
| ·电极结构表征 | 第45-46页 |
| ·电极输运测试 | 第46-47页 |
| ·阳极氧化银绝缘层研宄 | 第47-51页 |
| ·自匹配结构 | 第47-48页 |
| ·表征与分析 | 第48-49页 |
| ·绝缘性能 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 基于侧面电极ZnO纳米线紫外光电探测器 | 第53-69页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·Schottky结型光电探测器 | 第54-61页 |
| ·器件结构 | 第55-56页 |
| ·光电响应特性 | 第56-59页 |
| ·光电响应机制 | 第59-61页 |
| ·MIS结型光电探测器 | 第61-66页 |
| ·多纳米线集成器件应用与问题 | 第61-62页 |
| ·器件结构 | 第62页 |
| ·光电响应特性 | 第62-63页 |
| ·界面隧穿输运过程 | 第63-65页 |
| ·光电响应机制 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第五章 金属-纳米线腔结构光学共振与光偏振态探测 | 第69-86页 |
| ·引言 | 第69-71页 |
| ·光学吸收FDTD模拟 | 第71-78页 |
| ·FDTD数值方法 | 第71-73页 |
| ·纳米线介质结构光吸收 | 第73-75页 |
| ·金属-纳米线腔结构光吸收 | 第75-78页 |
| ·基于金属-纳米线腔结构光偏振态探测 | 第78-83页 |
| ·光偏振态响应 | 第78-80页 |
| ·波长相关的光学振荡特性 | 第80-82页 |
| ·尺寸相关的光学振荡特性 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第六章 结论与展望 | 第86-89页 |
| ·主要结论 | 第86-87页 |
| ·研究展望 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章和申请的专利 | 第90-91页 |
