基于高压工艺和MM模式下的ESD防护设计与研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 缩略词表 | 第11-12页 |
| 目录 | 第12-15页 |
| 1 绪论 | 第15-25页 |
| ·课题背景及意义 | 第15-18页 |
| ·ESD模式与测试方法 | 第18-22页 |
| ·ESD事件等效模型 | 第18-22页 |
| ·片上ESD防护的国内外研究现状 | 第22-25页 |
| 2 高压工艺ESD自防护设计 | 第25-43页 |
| ·高压ESD设计解决防护方案 | 第25-28页 |
| ·高压ESD防护目标 | 第28-30页 |
| ·高压nLDMOS的自保护设计 | 第30-35页 |
| ·高压nLDMOS的ESD特性 | 第31-35页 |
| ·体扩展技术 | 第35-39页 |
| ·体扩展技术版图布置 | 第35-37页 |
| ·体扩展技术的ESD特性 | 第37-39页 |
| ·曲栅结构nLDMOS | 第39-40页 |
| ·器件结构 | 第39-40页 |
| ·器件原理 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-43页 |
| 3 高压工艺ESD外防护设计 | 第43-81页 |
| ·高压nLDMOS的ESD防护原理 | 第43-44页 |
| ·高压nLDMOS的ESD防护特性 | 第44-49页 |
| ·栅电位 | 第44-46页 |
| ·漏端至栅端的距离 | 第46-49页 |
| ·高压LDMOS-SCR的ESD防护特性 | 第49-55页 |
| ·LDMOS-SCR防护原理 | 第49-55页 |
| ·LDMOS-SCR的ESD防护特性研究 | 第55-63页 |
| ·器件结构 | 第55-56页 |
| ·电流饱和效应 | 第56-59页 |
| ·仿真验证电流饱和效应 | 第59-63页 |
| ·nLDMOS-SCR其他ESD防护特性研究 | 第63-64页 |
| ·顶端饱和特性 | 第63-64页 |
| ·华夫饼式nLDMOS-SCR | 第64-67页 |
| ·器件结构与设计 | 第64-65页 |
| ·实验结果 | 第65-67页 |
| ·高维持电压器件应用 | 第67-78页 |
| ·高维持电压单器件 | 第67-69页 |
| ·低触发电压技术和低阻技术 | 第69-74页 |
| ·新型保护环电阻触发技术 | 第74-78页 |
| ·本章小结 | 第78-81页 |
| 4 基于MM模式的ESD防护设计与研究 | 第81-105页 |
| ·HBM模式和MM模式之间的联系 | 第82-84页 |
| ·基于MM模式的ESD防护设计 | 第84-85页 |
| ·低压DDSCR的双向防护特性 | 第85-92页 |
| ·双向SCR结构 | 第85-86页 |
| ·基于外部辅助触发双向SCR | 第86-87页 |
| ·基于NMOS对管触发双向SCR的ESD特性 | 第87-90页 |
| ·基于其他外部触发单元DDSCR的ESD特性 | 第90-92页 |
| ·基于低压DDSCR的快速防护器件设计 | 第92-102页 |
| ·DTDDSCR快速导通特性 | 第92-94页 |
| ·基于内部触发常开型DDSCR器件 | 第94-95页 |
| ·基于IPDDSCR的全芯片防护网络策略 | 第95-97页 |
| ·基于多级电流镜的ESD侦测箝位电路原理 | 第97-100页 |
| ·基于多级电流镜的ESD侦测箝位电路仿真 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-105页 |
| 5 总结与展望 | 第105-109页 |
| ·总结 | 第105-107页 |
| ·不足与展望 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-117页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第117-118页 |
| 作者简历 | 第117页 |
| 发表和录用的文章及专利 | 第117-118页 |
