VLSI后端设计中针对CMP平坦度的DFM

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
1 绪论	第8-16页
·集成电路的发展	第8-10页
·工艺良率问题	第10-11页
·研究内容及意义	第11-14页
·国内外研究现况	第14-16页
2 CMP工艺机理及其引起的良率问题	第16-23页
·Cu互连工艺简介	第16-17页
·CMP工艺机理	第17-19页
·CMP工艺缺陷对良率的影响	第19-20页
·其它影响良率的因素	第20-23页
3 虚拟金属填充解决方案	第23-38页
·虚拟金属填充方案原理介绍	第23-24页
·基于规则的填充方法	第24-26页
·基于规则的目标函数	第24-25页
·填充实例-布尔运算	第25-26页
·基于模型的填充方法	第26-30页
·基于模型的目标函数	第26-27页
·填充实例-卷积公式	第27-30页
·填充金属对RC参数的影响	第30-31页
·改进的基于规则的填充方案	第31-34页
·针对目标函数的改进	第31-32页
·针对相邻性影响的改进	第32-33页
·针对耦合缺陷的改进	第33-34页
·其它DFM技术简介	第34-38页
4 实验前期准备流程	第38-49页
·前端设计与功能验证	第38-40页
·逻辑综合	第40-42页
·后端设计	第42-46页
·静态验证与签收	第46-49页
5 虚拟金属填充的实验步骤和实验结果分析	第49-57页
·实验内容和步骤	第49-50页
·实验结果分析	第50-57页
·晶圆平坦度的分析	第51-55页
·耦合参数的分析	第55-56页
·操作时间的分析	第56-57页
结论	第57-58页
参考文献	第58-60页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况	第60-61页
致谢	第61-63页