| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构材料的特点及研究意义 | 第9-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-18页 |
| ·本文主要研究内容 | 第18-22页 |
| 第二章 物理参数的压力(应变)依赖关系 | 第22-31页 |
| ·晶格常数和体积 | 第22-23页 |
| ·带阶和禁带宽度 | 第23-26页 |
| ·有效质量 | 第26-28页 |
| ·介电常数 | 第28-29页 |
| ·LO声子频率 | 第29-31页 |
| 第三章 ZnSe／ZnCdSe量子阱中应变的压力调制效应 | 第31-38页 |
| ·直接禁带-间接禁带转变压力 | 第32-35页 |
| ·重空穴-轻空穴能带交叉压力 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 ZnCdSe／ZnSe量子阱中的激子及其压力效应 | 第38-62页 |
| ·理论 | 第38-43页 |
| ·压力导致的激子-LO声子耦合增强的可能性 | 第43-49页 |
| ·重空穴激子的压力系数 | 第49-55页 |
| ·体弹性模量对重空穴激子跃迁的影响 | 第55-60页 |
| ·小结 | 第60-62页 |
| 第五章 压力对第Ⅱ类异质结的界面激予的结合能的影响 | 第62-80页 |
| ·理论 | 第63-66页 |
| ·ZnTe／CdSe异质结 | 第66-72页 |
| ·ZnSe／ZnTe异质结 | 第72-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读学位期间发表论文目录 | 第90-92页 |
