| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·微电子封装概述 | 第8页 |
| ·三维微电子封装技术 | 第8-10页 |
| ·TSV 三维封装技术 | 第10-11页 |
| ·TSV 刻蚀技术 | 第11-13页 |
| ·刻蚀技术的分类 | 第11-12页 |
| ·反应离子刻蚀 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 IC 器件TSV 封装结构 | 第15-19页 |
| ·IC 器件TSV 封装的结构设计 | 第15页 |
| ·IC 器件TSV 封装的工艺实现步骤 | 第15-19页 |
| 第三章 反应离子刻蚀在IC 器件TSV 技术中的应用 | 第19-25页 |
| ·表面清洗 | 第19-20页 |
| ·光刻工艺流程 | 第20-22页 |
| ·反应离子刻蚀的应用 | 第22-25页 |
| 第四章 IC 器件TSV 技术中的反应离子刻蚀工艺的优化 | 第25-40页 |
| ·工艺条件的讨论 | 第25页 |
| ·一次反应离子刻蚀在TSV 技术中的工艺优化 | 第25-35页 |
| ·刻蚀窗口的尺寸与TSV 的关系 | 第25-27页 |
| ·气体流量与TSV 的关系 | 第27-31页 |
| ·腔体压强与TSV 的关系 | 第31-33页 |
| ·极板功率与TSV 的关系 | 第33-35页 |
| ·二次反应离子刻蚀在TSV 技术中的工艺优化 | 第35-38页 |
| ·气体流量与TSV 的关系 | 第35-36页 |
| ·极板功率与TSV 的关系 | 第36-37页 |
| ·刻蚀窗口尺寸与TSV 的关系 | 第37-38页 |
| ·结论 | 第38-40页 |
| 第五章 总结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44页 |