| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·AlInGaN四元薄膜的研究进展和趋势 | 第10-11页 |
| ·GaN基VCSEL及DBR的发展现状 | 第11-13页 |
| ·本论文的研究内容和结构安排 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-18页 |
| 第二章 材料生长技术和材料表征方法 | 第18-28页 |
| ·材料的MOCVD外延生长 | 第18-20页 |
| ·材料的表面表征(SEM和AFM) | 第20-22页 |
| ·材料的结构和组分表征(XRD和XPS) | 第22-25页 |
| ·材料的光学特性表征(PL和Spectrophotometer) | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 AlInGaN四元薄膜的制备与分析 | 第28-46页 |
| ·AlInGaN薄膜的制备过程 | 第28-29页 |
| ·生长条件对AlInGaN薄膜的结构和性质的影响 | 第29-42页 |
| ·生长温度对AlInGaN薄膜表面形貌的影响 | 第29-32页 |
| ·AlInGaN薄膜组分随生长厚度的变化 | 第32-36页 |
| ·反应室压强对AlInGaN薄膜材料特性的影响 | 第36-38页 |
| ·低温AlN插入层对AlInGaN薄膜生长的影响 | 第38-39页 |
| ·与GaN品格匹配的AlInGaN薄膜的生长 | 第39-42页 |
| ·有关AlInGaN薄膜生长机理的考察 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第四章 AlInGaN/GaN DBR的制备与分析 | 第46-62页 |
| ·DBR反射特性与折射率、周期数及各层厚度偏差的关系 | 第46-53页 |
| ·模拟模型和原理 | 第46-47页 |
| ·反射谱的模拟 | 第47-53页 |
| ·在C面蓝宝石衬底上AlInGaN/GaN DBR的外延生长 | 第53页 |
| ·AlInGaN/GaN DBR的表面、结构和光学表征 | 第53-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第五章 AIN/GaN DBR的制备与分析 | 第62-75页 |
| ·在C面蓝宝石衬底上AIN/GaN DBR的外延生长 | 第62-63页 |
| ·AIN/GaN DBR的表面与结构表征 | 第63-69页 |
| ·AIN/GaN DBR的光学特性研究 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第六章 结论与展望 | 第75-77页 |
| 硕士期间发表论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
