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基于SiOC低k介质及其掺杂薄膜的研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-5页
目录第5-7页
第一章 绪论第7-19页
   ·低介电常数介质的应用及必要性第7-9页
   ·降低介质的介电常数的途径第9-10页
   ·低介电常数介质的种类第10-16页
     ·按介质制备方法分类第10-14页
     ·按照孔的来源分类第14页
     ·按照材料分类第14-16页
   ·低K介质的性能要求第16-17页
   ·低K介质在产业界中的应用现状第17-19页
第二章 旋涂法制备低K SIOCH薄膜第19-28页
   ·引言第19页
   ·低K薄膜的制备第19页
   ·结果与讨论第19-27页
     ·k值第19-21页
     ·化学性质第21-26页
     ·漏电特性第26-27页
   ·小结第27-28页
第三章 NH_3等离子体处理对低K薄膜化学性质的影响第28-36页
   ·引言第28页
   ·样品实验第28-29页
   ·实验结果与分析第29-35页
     ·不同等离子体处理时间第29-34页
     ·不同等离子体处理温度第34-35页
   ·小结第35-36页
第四章 PECVD低K SIOCNF薄膜的性能研究第36-47页
   ·引言第36页
   ·制备设备及表征方法第36-38页
   ·结果与讨论第38-45页
     ·化学组成分析第38-43页
     ·电学性质第43-44页
     ·机械性能第44-45页
   ·小结第45-47页
第五章 总结与展望第47-50页
参考文献第50-54页
硕士阶段完成论文第54-55页
致谢第55-56页

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