| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·MEMS 研究现状 | 第14-16页 |
| ·国外研究现状 | 第14-15页 |
| ·国内研究现状 | 第15-16页 |
| ·MEMS 主要加工工艺 | 第16-22页 |
| ·体微加工技术 | 第17-20页 |
| ·表面微机械加工技术 | 第20-21页 |
| ·LIGA 工艺 | 第21-22页 |
| ·研究内容 | 第22-24页 |
| ·硅刻蚀制备高深宽比微结构的研究 | 第22-23页 |
| ·基于LIGA 掩膜版补偿法制备高深宽比微针的研究 | 第23-24页 |
| 第二章 ICP-RIE 刻蚀原理与模型 | 第24-35页 |
| ·ICP-RIE 刻蚀设备 | 第24-27页 |
| ·ICP 刻蚀机理 | 第27-28页 |
| ·ICP 刻蚀系统等离子体-硅表面作用模型 | 第28-34页 |
| ·表面反应概述 | 第28-29页 |
| ·微表面反应模型 | 第29-30页 |
| ·离子辅助刻蚀模型 | 第30-31页 |
| ·交替复合深刻蚀(TMDE)模型 | 第31-32页 |
| ·微结构中离子流和中心流的输运 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章ICP-RIE 刻蚀实验 | 第35-50页 |
| ·ICP-RIE 硅刻蚀工艺 | 第36-38页 |
| ·ICP-RIE 刻蚀各工艺参数对刻蚀速率的影响 | 第38-43页 |
| ·硅基MEMS 工艺正交试验 | 第43-49页 |
| ·分配平板功率以及持续时间 | 第43-46页 |
| ·调节平板功率 | 第46-48页 |
| ·正交优化各刻蚀参数 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 掩膜版补偿方案分析 | 第50-65页 |
| ·制作微针阵列的MEMS 技术简介 | 第50-53页 |
| ·掩膜版的补偿方法 | 第53-54页 |
| ·掩膜版补偿的理论分析 | 第54-57页 |
| ·影响微针侧面形状的主要因素 | 第54-56页 |
| ·影响微针侧面形状的其他因素 | 第56-57页 |
| ·微针阵列掩膜版补偿模型的建立 | 第57-63页 |
| ·模型基本要素的设定 | 第57-59页 |
| ·掩膜版补偿的计算方法 | 第59-62页 |
| ·模拟仿真的准确性分析 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 掩膜版补偿仿真结果及分析 | 第65-78页 |
| ·仿真程序流程说明 | 第65-66页 |
| ·模拟仿真结果分析 | 第66-72页 |
| ·掩膜版形状的补偿 | 第66-67页 |
| ·补偿前微针单元刻蚀进度仿真 | 第67-70页 |
| ·补偿后微针单元刻蚀进度仿真 | 第70-72页 |
| ·掩膜版设计的误差分析 | 第72-73页 |
| ·掩膜版补偿仿真模型的实用性分析 | 第73-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 结论与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及发明专利 | 第85页 |