| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 SiC JFET器件概述与应用发展 | 第9-13页 |
| 1.1.1 碳化硅功率器件概述 | 第9-10页 |
| 1.1.2 SiC JFET器件应用与发展 | 第10-13页 |
| 1.2 SPICE模型概述 | 第13-14页 |
| 1.3 SiC JFET器件SPICE模型研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 研究内容与设计指标 | 第16-17页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第17-19页 |
| 第二章 SiC JFET器件工作原理与特性 | 第19-27页 |
| 2.1 SiC JFET器件基本结构与工作原理 | 第19-21页 |
| 2.1.1 PN结JFET基本结构与工作原理 | 第19-20页 |
| 2.1.2 SiC JFET器件基本结构 | 第20-21页 |
| 2.2 SiC JFET器件直流特性 | 第21-24页 |
| 2.2.1 SiC JFET器件栅源、栅漏间二极管表征 | 第21-22页 |
| 2.2.2 速度饱和效应 | 第22-23页 |
| 2.2.3 沟道长度调制效应 | 第23页 |
| 2.2.4 自热效应 | 第23-24页 |
| 2.3 SiC JFET器件交流特性 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 SiC JFET器件SPICE模型 | 第27-41页 |
| 3.1 SiC JFET器件直流模型 | 第27-32页 |
| 3.1.1 沟道电流电压关系式 | 第27-30页 |
| 3.1.2 恒定迁移率模型 | 第30-31页 |
| 3.1.3 漂移区电阻优化 | 第31-32页 |
| 3.2 二级物理效应模型 | 第32-37页 |
| 3.2.1 速度饱和模型 | 第32-34页 |
| 3.2.2 沟道长度调制效应模型 | 第34-35页 |
| 3.2.3 沟道非均匀掺杂模型 | 第35-36页 |
| 3.2.4 自热效应模型 | 第36-37页 |
| 3.3 SiC JFET器件交流模型 | 第37-40页 |
| 3.3.1 基于端电荷的C-V模型 | 第37-39页 |
| 3.3.2 噪声模型 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 SiC JFET器件SPICE模型实现与验证 | 第41-57页 |
| 4.1 SPICE模型实现与优化 | 第41-44页 |
| 4.1.1 Verilog-A模型描述语言 | 第41-42页 |
| 4.1.2 模型源代码与结构 | 第42页 |
| 4.1.3 Bin参数 | 第42-43页 |
| 4.1.4 模型代码的优化 | 第43-44页 |
| 4.2 1.2kV SiC JFET器件电学特性测试 | 第44-47页 |
| 4.3 1.2kV SiC JFET器件SPICE模型参数提取 | 第47-51页 |
| 4.3.1 直流模型参数提取 | 第48-50页 |
| 4.3.2 交流模型参数提取 | 第50-51页 |
| 4.4 1.2kV SiC JFET器件SPICE模型仿真验证 | 第51-56页 |
| 4.4.1 直流特性验证 | 第51-53页 |
| 4.4.2 交流特性验证 | 第53-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 硕士期间取得的成果 | 第65页 |
