| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN材料 | 第11-12页 |
| 1.3 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) | 第12-14页 |
| 1.3.1 AlGaN/GaN异质结 | 第12-13页 |
| 1.3.2 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件 | 第13-14页 |
| 1.4 AlGaN/GaNHEMT器件研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4.1 AlGaN/GaN HEMT微波器件 | 第14-15页 |
| 1.4.2 AlGaN/GaN HEMT功率器件 | 第15页 |
| 1.4.3 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 AlGaN/GaN MIS-HEMT欧姆接触改善研究 | 第18-26页 |
| 2.1 AlGaN/GaN MIS-HEMT欧姆接触基本原理 | 第18页 |
| 2.2 欧姆接触表征方法 | 第18-20页 |
| 2.3 欧姆接触优化对比研究 | 第20-24页 |
| 2.3.1 欧姆接触优化对比研究 | 第20-23页 |
| 2.3.2 耐高温测试研究 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-26页 |
| 第3章 基于沟道/背势垒厚度的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件性能研究 | 第26-40页 |
| 3.1 AlGaN背势垒的工作原理 | 第26-27页 |
| 3.2 背势垒AlGaN/GaN MIS-HEMT器件制备 | 第27-32页 |
| 3.2.1 不同沟道/背势垒厚度AlGaN/GaN HEMT仿真 | 第28-29页 |
| 3.2.2 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件制备 | 第29-32页 |
| 3.3 不同沟道/背势垒厚度AlGaN/GaN MIS-HEMT器件电学特性能 | 第32-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件界面改善研究 | 第40-56页 |
| 4.1 AlGaN/GaN HEMT器件中电流崩塌现象 | 第40-41页 |
| 4.2 界面处理对MIS-HEMT器件性能影响 | 第41-49页 |
| 4.2.1 界面处理对器件性能影响的物理机制 | 第42-43页 |
| 4.2.2 预处理对MIS-HEMT器件性能影响研究 | 第43-49页 |
| 4.3 界面插入层对MIS-HEMT器件的性能影响 | 第49-54页 |
| 4.3.1 界面插入层的影响机制 | 第49页 |
| 4.3.2 AlN介质插入层对器件性能影响研究 | 第49-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
