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基于SoC芯片的RAM内建自测试设计

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第1章 前言第12-17页
    1.1 选题背景和意义第12-13页
    1.2 可测性设计的国内外研究进展第13-15页
        1.2.1 可测试性设计的发展历程第13-15页
        1.2.2 可测试性设计发展面临的挑战第15页
    1.3 论文完成的工作及章节安排第15-17页
第2章 芯片存储器概念及测试的介绍第17-26页
    2.1 芯片测试概述第17-19页
    2.2 存储器简介和故障类型分类第19-22页
        2.2.1 存储器简介第19-20页
        2.2.2 存储器的故障类型分类第20-22页
    2.3 存储器测试的必要性第22页
    2.4 存储器的测试方法第22-25页
        2.4.1 片上微处理器测试第22-23页
        2.4.2 直接访问测试方法第23-24页
        2.4.3 存储器内建自测试第24页
        2.4.4 扫描寄存器测试第24页
        2.4.5 存储器测试方法的比较第24-25页
    2.5 本章小结第25-26页
第3章 BIST测试技术和算法的分析第26-42页
    3.1 BIST的基本结构第26-31页
    3.2 存储器测试确定性算法第31-35页
    3.3 March算法的研究第35-41页
        3.3.1 March算法的概述第35-38页
        3.3.2 主要March算法的有效性描述第38-41页
    3.4 本章小结第41-42页
第4章 RAM存储器的BIST设计第42-65页
    4.1 BIST设计软件的选用与介绍第42-45页
    4.2 BIST电路设计思想第45-47页
    4.3 BIST测试模块的设计第47-64页
        4.3.1 顶层调用模块第48-52页
        4.3.2 BIST测试MarchC+算法模块第52-62页
        4.3.3 Testbench模块第62-64页
    4.4 本章小结第64-65页
第5章 BIST测试及故障仿真结果第65-69页
    5.1 BIST测试的仿真第65页
    5.2 BIST测试的仿真结果第65-66页
    5.3 BIST测试故障仿真结果第66-68页
    5.4 本章小结第68-69页
第6章 总结第69-71页
    6.1 论文的不足之处第70页
    6.2 下一步的发展方向第70-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-75页
攻读学位期间发表的学术论文及参加科研情况第75-76页

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