| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的实验研究进展 | 第9-10页 |
| 1.2.1 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的应用价值 | 第9页 |
| 1.2.2 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的非线性实验研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 半导体纳米材料的理论研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3.1 半导体纳米材料理论研究的意义 | 第10-11页 |
| 1.3.2 半导体纳米材料非线性理论研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第2章 量子化学理论基础 | 第14-22页 |
| 2.1 量子化学简介 | 第14页 |
| 2.2 理论方法的推导 | 第14-20页 |
| 2.2.1 薛定谔方程及近似方法 | 第14-16页 |
| 2.2.2 密度泛函理论 | 第16-19页 |
| 2.2.3 基组和赝势 | 第19-20页 |
| 2.3 基于DFT计算的软件包 | 第20页 |
| 2.4 几何结构优化 | 第20-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米团簇的结构优化与密度泛函的选择 | 第22-35页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米团簇的结构优化及结构参数的研究 | 第22-29页 |
| 3.2.1 优化后的结构分析 | 第22-27页 |
| 3.2.2 结合能的计算 | 第27-28页 |
| 3.2.3 HOMO-LUMO带宽与原子个数的关系 | 第28-29页 |
| 3.3 密度泛函与基组的选择 | 第29-33页 |
| 3.3.1 密度泛函的选择 | 第30-32页 |
| 3.3.2 基组的选择 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第4章 Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米小团簇双光子吸收特性研究 | 第35-52页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 双光子吸收截面的理论计算 | 第35-36页 |
| 4.3 第一吸收峰对应激发波长的分析 | 第36-37页 |
| 4.4 半导体纳米小团簇双光子吸收的计算 | 第37-46页 |
| 4.4.1 氧化锌和硫化锌双光子吸收的计算 | 第38-41页 |
| 4.4.2 硫化镉、硒化镉和碲化镉双光子吸收的计算 | 第41-46页 |
| 4.5 半导体ZnO、ZnS与Si团簇双光子吸收截面的比较 | 第46-48页 |
| 4.6 表面附着NH_3 配体的Cd_(13)Se_(13) 核壳结构双光子吸收的研究 | 第48-50页 |
| 4.6.1 Cd_(13)Se_(13) 核壳及配体钝化后的结构优化 | 第48-49页 |
| 4.6.2 Cd_(13)Se_(13) 及其附着配体的能带宽度 | 第49页 |
| 4.6.3 Cd_(13)Se_(13) 双光子吸收截面随配体的变化 | 第49-50页 |
| 4.7 本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
