| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-15页 |
| 1.1.1 电力电子技术的发展概况 | 第10-11页 |
| 1.1.2 旁路二极管的发展概况 | 第11-13页 |
| 1.1.3 VDMOS的发展概况 | 第13-15页 |
| 1.2 课题研究意义 | 第15-16页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 旁路二极管中的VDMOS基本理论 | 第18-33页 |
| 2.1 VDMOS的基本结构 | 第18-19页 |
| 2.2 VDMOS的工作原理 | 第19页 |
| 2.3 VDMOS的稳态特性 | 第19-22页 |
| 2.3.1 转移特性 | 第19-21页 |
| 2.3.2 输出特性 | 第21-22页 |
| 2.4 VDMOS的静态特性 | 第22-30页 |
| 2.4.1 正向压降 | 第22-24页 |
| 2.4.2 反向耐压 | 第24-26页 |
| 2.4.3 阈值电压 | 第26-28页 |
| 2.4.4 漏电流 | 第28-29页 |
| 2.4.5 栅电容 | 第29-30页 |
| 2.5 动态特性 | 第30-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 旁路二极管中的VDMOS的设计 | 第33-67页 |
| 3.1 旁路二极管中VDMOS的结构和工艺流程设计 | 第33-41页 |
| 3.1.1 旁路二极管中的VDMOS | 第33页 |
| 3.1.2 VDMOS的结构设计 | 第33-38页 |
| 3.1.3 VDMOS的工艺设计 | 第38-41页 |
| 3.2 VDMOS结构仿真 | 第41-65页 |
| 3.2.1 VDMOS元胞结构仿真 | 第41-45页 |
| 3.2.2 VDMOS的优化仿真 | 第45-63页 |
| 3.2.2.1 VDMOS外延层的优化仿真 | 第46-48页 |
| 3.2.2.2 VDMOS JFET区的优化仿真 | 第48-51页 |
| 3.2.2.3 VDMOS pbody区优化仿真 | 第51-57页 |
| 3.2.2.4 VDMOS栅区优化仿真 | 第57-60页 |
| 3.2.2.5 VDMOS元胞结构优化仿真 | 第60-63页 |
| 3.2.3 VDMOS终端结构设计 | 第63-65页 |
| 3.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 VDMOS版图设计 | 第67-70页 |
| 4.1 VDMOS器件版图设计 | 第67-68页 |
| 4.2 版图方案设计 | 第68-69页 |
| 4.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第76-77页 |